核壳型五氧化二钒-三氧化钨@三氧化钼纳米花状电致变色薄膜的制备方法

摘要

核壳型五氧化二钒‑三氧化钨@三氧化钼纳米花状电致变色薄膜的制备方法，本发明涉及一种纳米花状电致变色薄膜的制备方法，它为了解决现有电致变色薄膜的响应时间较慢和循环稳定性差的问题。制备方法：一、清洗透明导电基底；二、将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中进行水热处理，透明导电基底浸渍在MoO

说明书

技术领域

本发明涉及一种核壳型V

背景技术

过渡金属氧化物MoO

光谱调节范围是可见光的调节能力，近红外，红外光调控有限。金属氧化物材料MoO

发明内容

本发明的目的是为了解决现有电致变色薄膜的响应时间较慢和循环稳定性差的问题，而提供一种核壳型V

本发明核壳型V

一、透明导电基底的清洗：

对透明导电基底进行清洗，得到清洗后的透明导电基底；

二、MoO

将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以180～220℃的温度进行水热处理，得到MoO

三、V

将钨酸铵和偏钒酸铵加入到草酸溶液中，其中偏钒酸铵与草酸的摩尔比为(1～2)：(1～3)，在60℃～120℃下搅拌反应1h～3h，静置处理后得到前驱物溶液，向前驱物溶液中加入V

四、掺杂核壳型V

将MoO

本发明选用与MoO

本发明核壳型V

本发明所述的核壳型V

1、整个工艺过程安全，无需昂贵设备，无污染，且操作流程简单。

2、所获得的掺杂核壳型V

3、所获得的掺杂核壳型V

4、所获得的掺杂核壳型V

5、制备的掺杂核壳型V

6、多元金属氧化物之间存在协同效应，经过V

附图说明

图1为实施例得到的核壳型V

图2为实施例得到的核壳型V

图3为实施例得到的核壳型V

图4为实施例得到的核壳型V

具体实施方式

具体实施方式一：本实施方式核壳型V

一、透明导电基底的清洗：

对透明导电基底进行清洗，得到清洗后的透明导电基底；

二、MoO

将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以180～220℃的温度进行水热处理，得到MoO

三、V

将钨酸铵和偏钒酸铵加入到草酸溶液中，其中偏钒酸铵与草酸的摩尔比为(1～2)：(1～3)，在60℃～120℃下搅拌反应1h～3h，静置处理后得到前驱物溶液，向前驱物溶液中加入V

四、掺杂核壳型V

将MoO

本实施方式制备掺杂核壳型V

具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中先采用超纯水和无水乙醇超声清洗，然后再将透明导电基底依次通过浓度为0.1mol/L～2mol/L的稀盐酸溶液和双氧水清洗。

具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是步骤一中所述的透明导电基底为ITO或者FTO。

具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是步骤二中钼酸钠与草酸的摩尔比为1：1。

具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是步骤二中恒温处理的时间为1.5～4h。

具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是步骤三中静置处理时间为5h～8h。

具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是步骤三中V

具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是步骤三中在80℃～100℃下磁力搅拌3～6h，再超声振荡2～3h。

具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是步骤四中恒温处理时间为4h～10h。

具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是步骤四中煅烧时间为4～6h。

实施例一：本实施例核壳型V

一、透明导电基底的清洗：

将透明导电基底ITO置于超纯水超声清洗，去除表面附着杂质成分，取出透明导电基底置于无水乙醇中超声清洗，去除表面可能残留的有机物，然后再将透明导电基底置于稀盐酸溶液中清洗去除表面可能附着的氧化物，最后采用双氧水清洗，增加透明导电基底的亲水性，得到清洗后的透明导电基底；

二、MoO

将1mol钼酸钠与2mol草酸溶解在50mL去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以200℃的温度进行水热处理20小时，得到MoO

三、V

将1mol钨酸铵和2mol偏钒酸铵加入到100mL摩尔浓度为5mol/L草酸溶液中，在70℃下搅拌反应2h，静置6h后得到前驱物溶液，向前驱物溶液中加入20g V

四、掺杂核壳型V

将MoO

本实施例得到的核壳型V

本实施例得到的核壳型V

本实施例核壳型V