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电阻率测定方法、半导体器件的制造方法、电阻率测定程序以及电阻率测定器

摘要

提供一种技术,其具备:存储部,其至少存储对被测定物进行测定的制程以及对被测定物进行测定的测定模式;以及以使对被测定物进行测定的方式进行控制的控制部,控制部算出在按照在制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间,并且根据测定模式变更在制程中设定的各测定点的设定顺序,算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间,选定分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序,并按照该选定的设定顺序对被测定物进行测定。

著录项

  • 公开/公告号CN114746990A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社国际电气半导体技术服务;

    申请/专利号CN202080083413.4

  • 发明设计人 铁山千寻;

    申请日2020-12-24

  • 分类号H01L21/66;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人陈伟;闫剑平

  • 地址 日本富山县

  • 入库时间 2023-06-19 15:58:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    公开

    国际专利申请公布

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