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闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存

摘要

本发明公开了一种闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存。其中,闪存具有连接多个闪存晶粒的外部数据总线。闪存的控制方法包括:在设定阶段,于命令输入的操作模式下,由主控器送出设定命令,将各闪存晶粒的数据总线的各端口分别映射到各闪存晶粒的状态指标;以及于要求阶段,于命令输入的操作模式下,由主控器向各闪存晶粒送出要求命令,并且于数据输出的操作模式下,将各闪存晶粒的状态指标的状态经由相对应的外部数据总线的各端口,传送到主控器。

著录项

  • 公开/公告号CN114691554A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202110012228.2

  • 发明设计人 阮士洲;纪旻志;

    申请日2021-01-06

  • 分类号G06F13/16;G11C16/10;G11C16/26;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人张琛

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2023-06-19 15:50:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-01

    公开

    发明专利申请公布

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