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公开/公告号CN114540732A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-27
原文格式PDF
申请/专利权人 上海电机学院;
申请/专利号CN202210184385.6
发明设计人 胡红磊;
申请日2022-02-24
分类号C22F1/10;C22C19/05;
代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有限公司;
代理人范艳静
地址 200240 上海市闵行区江川路690号
入库时间 2023-06-19 15:29:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-27
公开
发明专利申请公布
机译: 单晶生长方法和单晶生长坑
机译: 多晶硅储存夹具和制造多晶硅的方法
机译: SiC单晶的制造方法
机译:晶界能与晶界两侧相邻点阵重合度的相关性研究
机译:不锈钢晶界钝化状态的破坏和晶界腐蚀
机译:(Bi,Pb)-2223片锭子(i)的临界电流特性:单个交叉和定向样品的制备和临界电流特性
机译:双晶样品晶界处弹性约束的解析方法及其应用
机译:典型医用金属材料表面纳米晶化的生物学性能研究进展
机译:晶体取向和晶界对铝双晶和三晶塑性变形的影响。