具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件

摘要

本发明公开一种具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件，包括，一p‑金属电极、一n‑金属电极层、一高反射镀膜层以及一抗反射镀膜层，设置于该具有横向电场与横向磁场偏振光的光通讯元件上。一电致吸收光调变器(EAM)具有EAM量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)。一分布式反馈激光(DFB Laser)具有DFB量子阱使用砷磷化铟镓(InGaAsP)或砷化铟镓铝(InGaAlAs)。其中，当该EAM量子阱的应变>‑0.2％，且该分布式反馈激光产生一横向电场模式偏振光(TE模式的光)，该横向电场模式偏振光主要被重空穴次能带(heavy hole subband)吸收。