一种高PSR快速瞬态响应双模式无片外电容LDO

摘要

本专利提出一种高PSR快速瞬态响应，有两种工作模式的无片外电容LDO，适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺，内部可以分为前级降压器和后级降压器，其中前级降压包含前级带隙基准，前级误差放大器和前级功率管，后级降压器包含后级带隙基准，后级电压缓冲器，后级误差放大器和后级功率管，此外还有使能电路，过压保护和过温保护，负载电流检测和负载跳变检测电路构成瞬态提升和工作模式切换(轻载模式和重载模式)。该电路可集成在SOC系统中，无需外接分立单元。