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用于管理光子芯片上的光偏振状态的结构

摘要

本发明涉及用于管理光子芯片上的光偏振状态的结构,揭示了用于管理光子芯片上的光偏振的结构和形成用于管理光子芯片上的光偏振的结构的方法。形成一种单模波导结构,包括第一波导芯区域和位于第一波导芯区域之上的第二波导芯区域。第二波导芯区域包括第一区段、连接到第一区段的第二区段和连接到第二区段的第三区段。第二区段在与第一区段的交叉处具有第一宽度,并且在与第三区段的交叉处具有第二宽度。第二个宽度大于第一个宽度。第一和第二波导芯区域包含不同成分的材料。

著录项

  • 公开/公告号CN114384634A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格芯(美国)集成电路科技有限公司;

    申请/专利号CN202111094110.5

  • 发明设计人 泰蒙·巴维奇;刘阳旸;

    申请日2021-09-17

  • 分类号G02B6/126;G02B6/13;G02B6/10;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-06-19 15:02:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    公开

    发明专利申请公布

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