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一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法

摘要

本发明公开一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法,方法步骤为:1)建立三相三柱变压器BCTRAN矩阵;2)计算变压器激励侧电流基频分量Ik及激励侧端口电压基频分量Uk;3)计算输入电流Ibctk;4)计算变压器端口励磁支路深度饱和电感Lsatk;5)计算变压器所有端口深度饱和电感,得到端口完整励磁支路。结构包括BCTRAN参数模块、励磁支路、理想变压器和绕组电阻;本发明利通过将表征铁芯空间励磁特性差异的励磁支路添加在BCTRAN模型端口上,建立考虑铁芯深度饱和特性的改进BCTRAN模型,实现对变压器不同端口饱和特性的精准表征。

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  • 2022-04-19

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