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一种用于钙钛矿太阳能电池电子传输层的质子化胺硅烷偶联剂

摘要

以质子化胺硅烷偶联剂修饰二氧化锡电子传输层与钙钛矿的界面,获得了高电子迁移率,良好的能级匹配,增加了SnO2电子传输层的亲和度,并且钝化界面的缺陷。相比于未处理SnO2薄膜,经质子化胺硅烷偶联的SnO2薄膜更适合用作钙钛矿太阳能电池的电子传输层。本发明的特征在于:通过在不同稀释倍数的盐酸里浸泡以及在同一浓度的盐酸浸泡不同的时间来获得质子化胺硅烷偶联SnO2薄膜的方法,制备出了光电转化效率高的钙钛矿太阳能电池。

著录项

  • 公开/公告号CN114335357A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN202011070136.1

  • 发明设计人 孙喆;王果果;

    申请日2020-10-09

  • 分类号H01L51/48(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/44(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300384 天津市西青区宾水西道391号

  • 入库时间 2023-06-19 14:51:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-12

    公开

    发明专利申请公布

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