首页> 中国专利> 原子层沉积装置和原子层沉积方法

原子层沉积装置和原子层沉积方法

摘要

在ALD装置(1)的腔室(2)中,位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体,同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动,在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。

著录项

  • 公开/公告号CN114286875A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社明电舍;

    申请/专利号CN202080060774.7

  • 发明设计人 龟田直人;三浦敏德;花仓满;

    申请日2020-04-22

  • 分类号C23C16/455(20060101);C23C16/40(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/316(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人王庆华

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 14:45:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    公开

    国际专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号