一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法

摘要

本发明提供一种提高碳化硅外延片载流子寿命的方法，包括以下步骤：S1.将硅面碳化硅衬底置于石墨基座上；S2.调节反应室内条件并生长缓冲层；S3.保持生长温度和压力不变，降低C/Si比，之后以线性渐变的方式提高C/Si比进行第1次生长；S4.保持生长温度和压力不变，继续进行n次速率切换梯度层生长；S5.调节反应室内条件并完成外延层的生长；S6.完成外延层生长后，关闭生长源和掺杂源，最终用氩气将反应室压力充气至大气压后，开腔取片。本发明通过采用阶梯式生长提镀层的方法，优化了梯度层设计，达到补偿缓冲层产生的碳空位和抑制梯度层碳空位形成的目的，大幅提高了碳化硅外延片的载流子寿命。