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一种DRAM存储器的数据写入方法和DRAM控制系统

摘要

本发明公开了一种DRAM存储器的数据写入方法和系统,所述方法包括:DRAM控制器接收待写入数据,待写入数据包括数据段和地址段,数据段与地址段对应;判断数据段的连续逻辑值的长度是否大于或等于预设长度,连续逻辑值为连续的0或1;若连续逻辑值的长度大于或等于预设长度,则获取查找表,查找表包括DRAM存储器中存储的连续逻辑值以及存储的连续逻辑值所在的地址范围;查询连续逻辑值对应的待写入地址范围是否在查找表中;若是,则向DRAM控制器发送连续逻辑值无需写入的指示信号,数据段中的其他逻辑值按照普通的写入方式写入,减少DRAM存储器的访问次数,提升连续逻辑值的写入速度,从而提升DRAM存储器的数据写入速度。

著录项

  • 公开/公告号CN114185486A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市德明利技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202111361888.8

  • 发明设计人 周恺;

    申请日2021-11-17

  • 分类号G06F3/06(20060101);

  • 代理机构44439 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何兵;吕诗

  • 地址 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋A座2501、2401

  • 入库时间 2023-06-19 14:31:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    公开

    发明专利申请公布

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