一种高可靠的抗辐射加固STT-MRAM读写电路

摘要

本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。