具有包围型源区的沟槽型功率半导体器件及其制备方法

摘要

本申请是关于一种具有包围型源区的沟槽型功率半导体器件，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极和金属栅极；漂移区与衬底区相接，以衬底区指向漂移区的方向为上方，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区设置在基体区上方，N型源区设置在P型源区侧面与绝缘层的相接处，N型源区的一侧与绝缘层相接，使得N型源区被P型源区半包围；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够扩大雪崩电流通道的交界面，提高最大雪崩耐量。