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一种离子化单体制备的荷正电纳滤膜及其制备方法

摘要

本发明属于膜材料技术领域,具体涉及一种离子化单体制备的荷正电纳滤膜及其制备方法。本发明制备方法包括将离子化单体溶液涂覆在多孔支撑底膜上,然后继续涂覆酰氯单体溶液,使得离子化单体与酰氯单体在多孔支撑底膜上发生聚合反应,干燥后即可获得荷正电纳滤膜。本发明仅通过将离子化单体替换传统的水相单体,即可制备出厚度在15‑40nm的超薄纳滤膜,制备方法简单,不涉及任何纳米材料或者复杂的操作过程,同时环状的季铵离子主体具有强张力,氨基具有极低的位阻,能强化酰胺化反应活性,使得纳滤膜超薄且无缺陷,实现氯化镁的高效截留,膜分离性能优异。

著录项

  • 公开/公告号CN113694740A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202111012991.1

  • 发明设计人 赵强;彭华文;

    申请日2021-08-31

  • 分类号B01D67/00(20060101);B01D69/02(20060101);B01D69/12(20060101);B01D61/00(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人陈灿

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 13:26:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    授权

    发明专利权授予

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