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一种H型经颅磁刺激线圈、磁刺激装置及磁刺激系统

摘要

本发明公开了一种H型经颅磁刺激线圈、磁刺激装置及磁刺激系统,其中经颅磁刺激线圈包括:H型TMS线圈,包括H线圈部分和底座线圈部分,所述底座线圈部分上设有凹槽,以使所述底座线圈部分套于头部;磁屏蔽层,设置在所述凹槽内,所述磁屏蔽层采用柔性材料制成,以使所述磁屏蔽层与头部贴合。本发明通过增加磁屏蔽层,改变H形线圈周围的磁感应强度分布,达到降低H形TMS线圈在刺激目标区域之外产生的感应电场强度,改善H形TMS线圈的刺激精度。本发明可广泛应用于医疗设备技术领域。

著录项

  • 公开/公告号CN113679949A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202111003876.8

  • 发明设计人 刘仲武;吴雅祥;余红雅;钟喜春;

    申请日2021-08-30

  • 分类号A61N2/02(20060101);

  • 代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人郑宏谋

  • 地址 510641 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 13:23:06

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