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晶体生产工艺

摘要

本发明公开了一种晶体生产工艺,包括以下步骤:S1、将初始原料装入坩埚组件内;S2、对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化,并在设定时间后,坩埚组件以设定转速段内的转速转动;S3、在熔料完成后,将下料组件下降至坩埚组件内液面上方,且与液面上下相距h,下料组件包括原料下料管,原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区;S4、在原料下料区下料,在晶体生长区进行拉晶,在步骤S1中,将初始原料分别装入第一腔室、第二腔室和第三腔室内,第一腔室内的初始原料的颗粒直径大于第二腔室内的初始原料的颗粒直径和第三腔室内的初始原料的颗粒直径。根据本发明的晶体生产工艺,可以使得坩埚组件内熔汤更加均匀,有利于提升晶体品质。

著录项

  • 公开/公告号CN112210820A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202010948861.8

  • 发明设计人 陈翼;刘奇;黄末;刘林艳;高海棠;

    申请日2020-09-10

  • 分类号C30B15/00(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人肖阳

  • 地址 221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

  • 入库时间 2023-06-19 09:32:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-05-30

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/00 专利申请号:2020109488618 变更事项:申请人 变更前:徐州鑫晶半导体科技有限公司 变更后:中环领先(徐州)半导体材料有限公司 变更事项:地址 变更前:221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号 变更后:221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

    著录事项变更

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