法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-30
著录事项变更 IPC(主分类):C30B15/00 专利申请号:2020109488618 变更事项:申请人 变更前:徐州鑫晶半导体科技有限公司 变更后:中环领先(徐州)半导体材料有限公司 变更事项:地址 变更前:221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号 变更后:221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
著录事项变更
机译: Aln晶体基质的生产工艺,Aln晶体的生长方法和Aln晶体基质
机译: 沟道晶体管单元晶体管的布置以及MOS功率晶体管和IGBT的生产工艺提高了主体区域的掺杂分布
机译: 薄膜氮化硅生产工艺和使用薄膜氮化硅的薄膜晶体管生产工艺