法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-27
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B1/00 申请日:20180531
实质审查的生效
2018-11-02
公开
公开
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: 制造表面改性的单晶SiC基质,具有表观生长层的单晶SiC基质,半导体芯片,用于单晶SiC增长的种子基质以及多晶硅SiC基质的制造方法
机译: 受控空气接触对纳米尺度零价铁的表面改性方法及其表面改性的纳米尺度零价铁的表面改性方法