一种提升TLC闪存编码率的方法

摘要

本发明公开了一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于当Block被擦除的次数小于预先设置的擦除拐点次数PE_tr时选择BCH为该Block的BER纠错算法；Block被擦除的次数不小于预先设置的擦写拐点次数PE_tr时选择LDPC为该Block的BER纠错算法。通过在TLC NAND的生命周期内动态调整纠错算法策略，即动态调整校验数据大小，期望总体提升TLC闪存的编码率。