集成耗尽型结型场效应晶体管的器件

摘要

本发明涉及一种集成耗尽型结型场效应晶体管的器件，包括JFET区、功率器件区、设于器件背面的第一导电类型的漏极、及设于漏极朝向器件正面的面上的第一导电类型区，JFET区和功率器件区共享漏极和第一导电类型区，JFET区和功率器件区的交界处形成有隔离结构，隔离结构包括第二导电类型的隔离阱和设于隔离阱表面的绝缘注入阻挡层。本发明在JFET区和功率器件区的交界处采用一个较深的第二导电类型的隔离阱进行隔离，在推阱时使其有着足够的结深，这样漏电路径大大加长，起到了良好的隔离效果，该隔离阱的横向距离可以做到很短，大大节约了整个集成器件的面积。该隔离阱可以与结终端扩展技术相兼容，无需增加额外的光刻版。