用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法

摘要

本公开提供了一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；图案化第二栅极导电层，由此形成第二栅电极；以及图案化第二栅极介电层。对光致抗蚀剂层进行图案化包括执行后侧照明步骤、前侧照明步骤和光致抗蚀剂显影步骤，其中后侧照明步骤包括使用第一栅电极作为掩模从衬底的后侧对光致抗蚀剂层的照明，并且其中前侧照明步骤包括仅在边缘部分中使用对栅极区域中的光致抗蚀剂层进行曝光的掩模来从前侧对光致抗蚀剂层的照明。