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包括MuGFET的压控振荡器

摘要

描述了压控振荡(100)。在用于压控振荡的设备中,电感器(120)具有抽头以及具有或被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)。粗粒度电容器阵列(130)被耦接到所述正端输出节点(105)和所述负端输出节点(106),并且被耦接以分别接收选择信号(168)。变容二极管(140)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)并且被耦接以接收控制电压(143)。变容二极管(140)包括MuGFET(141,142)。跨导单元(150)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106),并且跨导单元(150)具有公共节点(107)。频率缩放的电阻网络(160)被耦接到公共节点(107),并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的选择信号(168)。

著录项

  • 公开/公告号CN107210707A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赛灵思公司;

    申请/专利号CN201580075207.8

  • 发明设计人 A·M·贝克勒;P·乌帕德亚雅;

    申请日2015-11-12

  • 分类号H03B5/12(20060101);

  • 代理机构11517 北京市君合律师事务所;

  • 代理人宋海宁;毛健

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 03:27:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03B5/12 申请日:20151112

    实质审查的生效

  • 2017-09-26

    公开

    公开

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