电流检测方法、电流检测装置、电流检测装置的信号修正方法、以及电流检测装置的信号修正装置

摘要

本发明使输出电压相对于磁通密度的关系成为线性高的大致线性。对具备输出与磁通密度(B)对应的电压信号(V

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过测定由流过导体的电流产生的磁场来检测其电流值的电流检测方法、电流检测装置、电流检测装置的信号修正方法以及电流检测装置的信号修正装置。

背景技术

以前，已知使用了磁阻效应元件的电流检测装置(例如，参照专利文献1)，其中，磁阻效应元件包括使用了各向异性磁阻(AMR(Anisotropic Magneto Resistive))效应的AMR元件、使用了巨磁电阻(GMR(Giant Magneto Resistive))效应的GMR元件等。

专利文献1所记载的电流检测装置采用了如下的方法：选择电阻值比较线性地变化的区域内的磁场来作为偏置磁场，把该偏置磁场施加给磁阻效应元件，在以偏置磁场为中心的磁场区域内测定被测磁场，但是由于电阻值线性变化的区域狭窄，所以存在可测定的磁场范围非常狭窄的问题。并且，作为其解决手段，设置了针对磁阻效应元件施加含有多个值的偏置磁场的偏置磁场施加单元。因此，能够通过简单的结构提高磁场与输出之间的线性，扩大了测定范围。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000﹣055997号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所记载的电流检测装置中，只不过是通过改变偏置磁场来虚拟地提高磁场和输出，即检测的磁通密度与输出电压之间的关系的线性，磁阻效应元件的磁通密度与输出电压之间的关系依然还是非线性的，仅使用了磁通密度与输出电压为线性关系的范围(磁通密度与输出电压之间的关系被视为线性的范围)。因此，存在使用磁阻效应元件能够有效检测的磁通密度的范围变窄，配置磁阻效应元件时的自由度也变得较低的可能。

因此，本发明的目的在于提供一种电流检测方法、电流检测装置、电流检测装置的信号修正方法、以及电流检测装置的信号修正装置，其能够使输出电压相对于磁通密度的关系成为线性高的大致线性关系。

解决课题的手段

本发明以解决上述课题为目的，提供一种电流检测方法：对于具备检测磁通密度，输出与所述磁通密度对应的电压信号的磁检测元件的电流检测装置，取得通过供给所述磁检测元件能够检测的范围的磁通密度而得到的表示所述磁通密度与所述电流检测装置的输出电压信号之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群，按照计算出的所述多个系数群，将来自所述磁检测元件的输出电压信号修正为相对于所述磁通密度大致为线性，并输出修正后的修正电压信号。

另外，本发明以解决上述课题为目的，提供一种电流检测装置，其具备：磁检测元件，其检测磁通密度，输出与所述磁通密度对应的电压信号；以及信号修正单元，其按照多个系数群，将来自所述磁检测元件的输出电压信号修正为相对于所述磁通密度大致为线性，并输出修正后的修正电压信号，其中，所述多个系数群是通过进行运算处理使得通过向所述磁检测元件供给磁通密度而得到的表示磁通密度与输出电压信号之间的关系的测定值数据与包含所述多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子相互拟合的方式而得到的系数群。

并且，本发明以解决上述课题为目的，提供一种电流检测装置的信号修正方法：所述电流检测装置具备：磁检测元件，其检测磁通密度，输出与所述磁通密度对应的电压信号；以及信号修正单元，其具备存储多个系数群的存储部，在所述存储部中没有存储所述多个系数群时，直接输出来自所述磁检测元件的输出电压信号，在所述存储部中存储了所述多个系数群时，按照所述多个系数群，将来自所述磁检测元件的输出电压信号修正为相对于所述磁通密度大致为线性，并输出修正后的修正电压信号，对于在所述信号修正单元的所述存储部中没有存储所述多个系数群的电流检测装置供给所述磁检测元件能够检测的范围的磁通密度，取得由此而得到的表示所述磁通密度与所述电流检测装置的输出电压信号之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群，将计算出的所述多个系数群存储在所述信号修正单元的所述存储部。

此外，本发明以解决上述课题为目的，提供一种电流检测装置的信号修正方法：对于具备检测磁通密度，输出与所述磁通密度对应的电压信号的磁检测元件的电流检测装置，取得通过供给所述磁检测元件能够检测的范围的磁通密度而得到的表示所述磁通密度与所述电流检测装置的输出电压信号之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群，在按照所述多个系数群，将来自所述磁检测元件的输出电压信号修正为相对于所述磁通密度大致为线性，并输出修正后的修正电压信号的信号修正单元的所述存储部中存储计算出的所述多个系数群，把在所述存储部中存储了所述多个系数群的所述信号修正单元作为所述电流检测装置的信号修正装置来使用。

此外，并且，本发明以解决上述课题为目的，提供一种电流检测装置的信号修正装置，其与具备检测磁通密度，并输出与所述磁通密度对应的电压信号的磁检测元件的电流检测装置相连接，修正并输出所述输出电压信号，该信号修正装置按照多个系数群，将来自所述磁检测元件的输出电压信号修正为相对于所述磁通密度大致为线性，并输出修正后的修正电压信号，所述多个系数群是通过进行运算处理使得通过向所述磁检测元件供给磁通密度而得到的表示磁通密度与输出电压信号之间的关系的测定值数据与包含所述多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子相互拟合的方式而得到的系数群。

发明的效果

通过本发明，能够使输出电压相对于磁通密度的关系成为线性高的大致线性关系。

附图说明

图1A表示在本发明的第一实施方式的电流检测方法、电流检测装置、以及电流检测装置的信号修正方法中使用的磁检测元件的磁检测原理。

图1B表示本发明的第一实施方式的电流检测方法以及电流检测装置的概要结构。

图2表示本发明的第一实施方式的电流检测方法、电流检测装置、以及电流检测装置的信号修正方法的概要结构。

图3表示在图2中向电流检测装置施加被测磁场的磁场产生装置的概要结构。

图4表示将横轴设为被测磁场B，将纵轴设为输出电压信号V₁的测定结果的一个例子。

图5表示图2的控制部执行的信号修正处理的一个例子。

图6表示图2的信号修正部执行的信号修正处理的一个例子。

图7表示与电流检测装置内的磁检测元件相对的偏置磁场B_b、被测磁场B、以及合成磁场B₀之间的关系。

图8表示图2的信号修正部执行的信号修正处理的结果即大致线性化修正后的输出电压信号V₁的一个例子。

图9表示本发明的第二实施方式的电流检测方法、电流检测装置、电流检测装置的信号修正方法、以及电流检测装置的信号修正装置的概要结构。

具体实施方式

[第一实施方式]

以下，参照图1A至图8来说明本发明的第一实施方式。

图1A表示在本发明的第一实施方式的电流检测方法、电流检测装置、以及电流检测装置的信号修正方法中使用的磁检测元件的磁检测原理。磁检测元件11由GMR元件构成。磁检测元件11通过层叠固定了磁化方向M_p的固定层、通过在与磁化方向M_P大致正交的方向上施加的偏置磁场B_b和被测磁场B使得磁化方向θ变化的自由层、将这些固定层和自由层进行分离的非磁性层来构成。被测磁场B是通过被测电流而产生的磁场，θ是以固定层的磁化方向M_p为基准的自由层的磁化方向的角度。

在检测元件11中，在被测磁场B的施加方向与固定层的磁化方向M_p为同方向而基本平行，且被测磁场B的大小相对于偏置磁场B_b的大小足够大时，偏置磁场B_b与被测磁场B的合成磁场B₀与固定层的磁化方向M_p所形成的角度θ变小，与之相伴固定层、非磁性层、自由层的层叠方向的电流密度分布变宽，电阻值R也变低。

反之，在被测磁场B的施加方向与固定层的磁化方向M_p为反方向而基本平行，且被测磁场B的大小相对于偏置磁场B_b的大小足够大时，合成磁场B₀与固定层的磁化方向M_p所成的角度θ变大，与之相伴固定层、非磁性层、自由层的层叠方向的电流密度分布变窄，电阻值R也变高。即，按照偏置磁场B_b和被测磁场B的合成磁场B₀的方向自由层的磁化方向旋转，根据自由层的磁化方向的旋转量磁检测元件11的电阻值发生变化。

在偏置磁场B_b中，具有抑制磁检测元件11的磁滞的作用。通过增强偏置磁场B_b来降低灵敏度，作为结果能够扩大线性范围。

图1B表示本发明的第一实施方式的电流检测装置的概要结构。在图1B中，电流检测装置10成为以固定层的磁化方向M_p1、M_p2分别相反的方式将图1A所示的磁检测元件11和与其相同结构的磁检测元件12串联接连后的半桥结构。磁检测元件11的固定层的磁化方向M_p1如箭头所示向右，磁检测元件12的固定层的磁化方向M_p2如与上述箭头正相反的箭头所示向左。此外，这些箭头的朝向与电路结构没有任何关系，而是为了方便显示了磁检测元件11以及磁检测元件12的固定层磁化方向形成为反方向。

向电流检测装置10的磁检测元件11的第一电极施加电源+V_cc(例如约5.0V)，将磁检测元件12的第二电极接地。从磁检测元件11与磁检测元件12之间的连接部即磁检测元件11的第二电极以及磁检测元件12的第一电极输出输出电压信号V_out。

信号修正部15施加从磁检测元件11与磁检测元件12之间的连接部输出的输出电压信号V_out大致线性变化的修正，输出修正输出电压信号V_L。此外，对于磁检测元件11、12，分别在与磁化方向M_p1、M_p2大致正交的同一方向上施加偏置磁场B_b。

图2表示本发明的第一实施方式的电流检测方法、电流检测装置、以及电流检测装置的信号修正方法的概要结构。图3表示在图2中向电流检测装置10施加被测磁场B的磁场产生装置20的概要结构。

在本发明的第一实施方式的电流检测方法、电流检测装置、以及电流检测装置的信号修正方法中，输入了从图1B所示的半桥结构的电流检测装置10输出的输出电压信号V_out的信号修正部15基于预定的系数输出大致线性变化的修正输出电压信号V_L。

控制部30由控制用计算机构成，所述控制用计算机以包含监视器的个人计算机(PC)为基本结构。控制部30包含被测磁场用恒流源31、恒压源32、电压测定部34、拟合系数运算部35、以及系数控制部36构成。

磁场产生装置20通过在磁屏蔽盒21内设置的螺线管线圈22产生被测磁场B，向设置在螺线管线圈22内的电流检测装置10供给被测磁场B。即，磁场产生装置20只要构成为将电流检测装置10作为工件来施加被测磁场B，也可以是除此之外的结构。

将磁检测元件11、12和信号修正部15一起收纳在一个芯片内来构成电流检测装置10。通过未图示的操作机器人等，将电流检测装置10搬运并设置在磁场产生装置20的螺线管线圈22内。此时，设置为电流检测装置10的固定层的磁化方向M_p1、M_p2与螺线管线圈22内的被测磁场B的方向相互平行。

被测磁场用恒流源31向螺线管线圈22供给预定的电流，例如约±1000mA的电流。通过从被测磁场用恒流源31供给的电流，在螺线管线圈22内例如产生±10mT的被测磁场B。

控制部30控制从被测磁场用恒流源31向螺线管线圈22供给的电流，使得在螺线管线圈22内产生例如从－10mT开始经过0mT成为+10mT这样慢慢增加的被测磁场B、从+10mT开始经过0mT成为－10mT这样慢慢减少的被测磁场B。

恒压源32对于在磁场产生装置20的螺线管线圈22内放置的电流检测装置，供给±V_cc(例如，约5.0V)的电源电压。

信号修正部15基于在存储部16中存储的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，对来自电流检测装置10的输出电压信号V_out施加修正，将其输出为输出电压信号V₁。此外，在存储部16中设置了信号修正标志，在该信号修正标志为“0”时，表示没有存储预定的系数，在信号修正标志为“1”时，表示存储了预定的系数。

信号修正部15在信号修正标志为“0”时，将输出电压信号V_out直接输出为输出电压信号V₁。另一方面，信号修正部15在信号修正标志为“1”时，对输出电压信号V_out施加修正，将其输出为输出电压信号V₁。存储在存储部16的系数的详细内容如后所述。

电压测定部34分别测量在施加慢慢增加的被测磁场B时从信号修正部15输出的输出电压信号V₁以及在施加慢慢减少的被测磁场B时从信号修正部15输出的输出电压信号V₁，并将该输出电压信号的平均值作为输出电压信号V₁输出到拟合系数运算部35。此外，也可以设置数字万用表来替代电压测定部34，向控制部30内的拟合系数运算部35供给测定到的电压。

拟合系数运算部35把测定结果(测定值数据)与以下所示的式(1)进行拟合，来分别计算各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，上述测定结果是将被测磁场用恒流源31向螺线管线圈22供给的电流，即在螺线管线圈22内向电流检测装置10施加的被测磁场B作为横轴，将通过电压测定部34测定到的来自电流检测装置10的输出电压信号V₁作为纵轴的测定结果。

系数控制部36进行向信号修正部15的存储部16写入由拟合系数运算部35计算出的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)的处理，并且为了表示系数已写入状态对存储部16的信号修正标志设置“1”。

图4表示将被测磁场B作为横轴，将输出电压信号V₁作为纵轴的测定结果(测定值数据)的一个例子。

在图4中，被测磁场B例如在－10～+10mT的范围内变化。随着被测磁场B的变化，输出电压信号V₁也如图4所示那样，成为例如在下限值约为+2.36V、上限值约为+2.56V的范围内变化的曲线。

在图4所示的曲线中，被测磁场B约为±0.5mT附近的图中由虚线长方形41包围的范围成为被视为输出电压信号V₁大致线性变化的线性范围。以往，因为仅使用由该虚线长方形41包围的部分，所以使用磁阻效应元件能够有效检测的磁通密度的范围如－1～+1mT那样非常狭窄。另外，输出电压信号V₁的范围也狭窄，例如为±30mV程度。

图5表示图2的控制部30执行的信号修正处理的一个例子。图6表示图2的信号修正部15执行的信号修正处理的一个例子。图7表示与电流检测装置10内的磁检测元件11和磁检测元件12相对的偏置磁场B_b、被测磁场B以及合成磁场B₀之间的关系。图8表示图2的信号修正部15执行的信号修正处理的结果，即大致线性化修正后的输出电压信号V₁的一个例子。

以下，按照图5的信号修正处理来进行说明。在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S51中，控制部30例如对于在约±1000mA的范围内电流增加的情况和电流减少的情况，从被测磁场用恒流源31连续地供给电流，以使得磁场产生装置20的螺线管线圈22内的磁场成为电流检测装置10的磁检测元件11、12可检测的范围的磁通密度，并测定图4所示的与被测磁场B相对的来自电流检测装置10的输出电压信号V₁。

此时，在信号修正部15的存储部16中还没有存储系数，信号修正标志为“0”，所以信号修正部15将图4所示的非线性的输出电压信号V_out直接输出为输出电压信号V₁。

在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S52中，控制部30内的拟合系数运算部35以下面式(1)的V_f与通过步骤S51取得的输出电压信号V₁的波形相拟合的方式，通过最小平方法求出各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)。

在式子(1)中，输出补偿系数V_off是图4所示的非线性的输出电压信号V₁成为大体点对称那样的输出电压值。在图4的情况下，因为下限值约为+2.36V、上限值约为+2.56V，所以输出补偿系数V_off约为+2.46V。

在式子(1)中，饱和输出系数V_sat是图4所示的非线性的输出电压信号V₁表示上限值以及下限值的输出电压值。在图4的情况下，在下限值约为+2.36V，上限值约为+2.56V，输出补偿约为+2.46V时，饱和输出系数V_sat约为100mV。

在式(1)中，关于偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α，使用图7来说明这些系数的关系。

如图7所示的那样，磁检测元件11的固定层中的磁化方向M_p1在图面上向上，磁检测元件12的固定层中的磁化方向M_p2在图面上向下。偏置磁场B_b为相对于这些磁化方向M_p1、M_p2大致正交的方向，在图面上向右。

在此，通过在磁检测元件11、12的附近设置偏置磁场用磁铁来产生偏置磁场B_b。或者，在使用在电流检测装置10中设置的偏置线圈(未图示)来替代该偏置用磁铁时，能够通过向偏置线圈供给恒定电流来产生偏置磁场B_b。

偏置磁场强度系数B_b是通过该偏置磁场用磁铁或偏置线圈产生的偏置强度磁场。

将电流检测装置10设置在磁场产生装置20中，使得固定层的磁化方向M_p1、M_p2与螺线管线圈22内的被测磁场B的方向相互平行，但是实际上会有设置为由于设置时的误差引起了角度φ的角度偏移的情况。将此时的被测磁场B相对于磁化方向M_p1、M_p2形成的角度φ定义为被测磁场方向的角度偏移系数φ。此外，该被测磁场方向的角度偏移系数φ以磁化方向M_p1、M_p2的方向为基准将逆时针方向设为正的值。

对于电流检测装置10内的磁检测元件11、12，在与固定层的磁化方向M_p1、M_p2大致正交的方向上施加偏置磁场B_b，但是会有由于设置偏置磁场用磁铁时的误差或制造偏置线圈时的误差(个体差异)引起角度α的角度偏移的情况。将此时的偏置磁场B_b相对于与磁化方向M_p1、M_p2正交的直线形成的角度α定义为偏置磁场方向的角度偏移系数α。此外，该偏置磁场方向的角度偏移系数α以与磁化方向M_p1、M_p2相垂直的方向为基准，将逆时针方向设为正的值。

在电流检测装置10内的磁检测元件11中，将被测磁场B和偏置磁场B_b进行合成后的合成磁场B₀相对于磁化方向M_p1向正时针方向偏移了角度θ1，在电流检测装置10内的磁检测元件12中，将被测磁场B和偏置磁场B_b进行合成后的合成磁场B₀相对于磁化方向M_p2向逆时针方向偏移角度θ2。而且，磁检测元件11、12的合成磁场B₀的方向以及大小均相同。

控制部30内的拟合系数运算部35例如跨越－10～+10mT的全部测定范围进行拟合处理，由此求出式(1)的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)。

在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S53中，系数控制部36向信号修正部15的存储部16写入由拟合系数运算部35求出的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，并且将存储部16的信号修正标志设置为“1”。

在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S54中，与上述的步骤S51相同，控制部30从被测磁场用恒流源31向磁场产生装置20的螺线管线圈22例如供给约±1000mA的电流，并测定与被测磁场B相对的从电流检测装置10输出的输出电压信号V₁。

在信号修正部15的存储部16中，通过上述的步骤S53，将存储部16的信号修正标志设置为“1”，并且存储了各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，所以信号修正部15针对图4所示那样的非线性的输出电压信号V_out执行图6的信号修正部15的信号修正处理，并输出图8所示那样的进行了大致线性化修正的输出电压信号V₁。

在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S55中，进行从信号修正部15输出的大致线性化修正后的输出电压信号V₁是否大致线性地进行变化，即是否为大致线性的判定，在成为大致线性(是)时，向步骤S56前进，在不是大致线性(否)时，向步骤S57前进。

例如，在如图8所示那样在被测磁场B约为±5mT附近的通过虚线长方形42包围的范围为线性的情况下判定为(是)，在不是这样的情况下判定为(否)。如图8所示的那样，在被测磁场B的范围约为±5mT附近的通过虚线长方形42包围的广阔范围内，通过信号修正部15进行了大致线性化修正的输出电压信号V₁表示大致线性地变化的线性。因此，能够理解输出电压信号V₁的范围例如也扩大到±3.7V。

在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S56中，因为在之前的步骤S55判定为线性(是)，所以向存储部16写入被视为大致线性地进行变化的被测磁场的范围±B，例如约±5mT，并结束一连串的信号修正处理。

另一方面，在图5的控制部30的信号修正处理的步骤S57中，因为在之前的步骤S55判定为非线性(否)，所以为了再次进行拟合处理，限定测定范围，并返回到步骤S52。

控制部30内的拟合系数运算部35例如跨越－10～+10mT的全部测定范围进行拟合处理，但是在通过步骤S55的处理判定为非线性(否)时，在步骤S52的拟合处理中，将测定范围例如限定为－8～+8mT，并再度求出式(1)的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)。

通过这样慢慢地限定拟合处理的测定范围，可知被测磁场B约为±5mT附近的线性提高。因此，例如在将全部测定范围设为－10～+10mT时，优选通过使下一个测定范围为－9～+9mT，使再下一个限定范围为－8～+8mT等方式，通过预定的比例来限定测定范围。

此外，在再拟合处理后，当步骤S55的判定处理的结果为非线性(否)时，控制部30可以抽出被视为线性的测定范围，将抽出的测定范围作为电流检测装置10的可测定范围写入到存储部16，并结束一连串的信号修正处理。通过读取存储在存储部16中的测定范围，能够容易地识别电流检测装置10的可测定范围。

接着，对图6的电流检测装置10内的信号修正部15的信号修正处理的详细内容进行说明。

在图6的信号修正部15的信号修正处理的步骤S61中，信号修正部15判定存储部16的信号修正标志是否为“0”，在为“0”(是)时向步骤S62前进，在为“1”(否)时向步骤S63前进。

在图6的信号修正部15的信号修正处理的步骤S62中，因为信号修正标志为“0”，所以信号修正部15将图4所示那样的非线性的输出电压信号V_out直接作为输出电压信号V₁输出到电压测定部34。

在图6的信号修正部15的信号修正处理的步骤S63中，因为信号修正标志为“1”，所以将输出电压信号V_out进行大致线性化修正，并将修正后的电压信号V_L作为输出电压信号V₁输出。

即，信号修正部15预先存储有将式(1)的V_f替换为V₁，将合成磁场B₀设为V₁的函数(B₀(V₁))时的下式(2)。

V_L＝m×B₀(V₁)+n…(2)

(在式子(2)中，系数m为0以外任意的值，n为任意的值)

因此，信号修正部15执行的信号修正处理基于式(2)以及存储在存储部16中的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，对输出电压信号V_out进行大致线性化修正，将图8所示的修正后的修正电压信号V_L作为输出电压信号V₁进行输出。

[第二实施方式]

其次，参照图9来说明本发明的第二实施方式。图9表示本发明的第二实施方式的电流检测方法、电流检测装置的信号修正方法以及电流检测装置的信号修正装置的概要结构，对应于图2。在该第二实施方式中，电流检测装置10A以及控制部30A的结构与第一实施方式的电流检测装置10以及控制部30不同，其他结构与第一实施方式相同。以下，重点对该不同的部分即电流检测装置10A以及控制部30A的结构进行说明，对于与第一实施方式相同的结构要素赋予相同的符号，并省略其说明。

在图9中，在一个芯片上收纳半桥结构的磁检测元件11、12来构成电流检测装置10A。电流检测装置10A从半桥结构的连接部直接输出输出电压信号V_out。因为电流检测装置10A不具备图2所示的信号修正部15，所以在第二实施方式中，制作对应于电流检测装置10A的信号修正装置15A，并将其连接到电流检测装置10A。信号修正装置15A具有与第一实施方式的信号修正部15共同的结构，输入从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out，基于预定的系数输出大致线性地进行变化的修正输出电压信号V_L。

即，本发明的第二实施方式的电流检测装置的信号修正装置是基于预定的系数将从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out作为大致线性变化的修正输出电压信号V_L进行输出的电流检测装置10A的专用的信号修正装置，通过在与电流检测装置10A不同的芯片上收纳的单个元件来构成。

在图9中，控制部30A包含被测磁场用恒流源31、恒压源32、电压测定部34A、拟合系数运算部35A、以及系数控制部36A而构成。被测磁场用恒流源31以及恒压源32的结构与第一实施方式相同。

电压测定部34A把从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out直接输出到信号修正装置15A的输入端，与之相伴输入从信号修正装置15A输出的修正输出信号V₁，取得图4所示那样的将被测磁场B设为横轴，将输出电压信号V₁设为纵轴的测定结果(测定值数据)。

此时，电压测定部34A测量在施加慢慢增加的被测磁场B时从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out以及在施加慢慢减少的被测磁场B时从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out，将该输出电压信号V_out的平均值作为输出电压信号V₁输出到拟合系数运算部35A。

信号修正装置15A经由设置在控制部30A中的芯片连接单元与控制部30A内的电压测定部34A以及系数控制部36A等连接。信号修正装置15A基于存储在存储部16A中的各系数(A1～A5)，对来自电流检测装置10A的输出电压信号V_out施加修正，并将其作为输出电压信号V₁输出。此外，在存储部16A中设置了信号修正标志，在该信号修正标志为“0”时，表示没有存储预定的系数，在信号修正标志为“1”时，表示存储了预定的系数。

信号修正装置15A在信号修正标志为“0”时，将来自电压测定部34A的输出电压信号V_out直接作为输出电压信号V₁输出到电压测定部34A。另一方面，信号修正装置15A在信号修正标志为“1”时，对来自电压测定部34A的输出电压信号V_out施加修正，并将其作为输出电压信号V₁输出到电压测定部34A。存储在存储部16A中的各系数(A1～A5)的详细内容如后所述。

拟合系数运算部35A把测定结果与下式(3)进行拟合，来计算各系数(A1～A5)，上述测定结果是将被测磁场用恒流源31向螺线管线圈22供给的电流，即在螺线管线圈22内向电流检测装置10施加的被测磁场B作为横轴，将通过电压测定部34A测定到的来自电流检测装置10A的输出电压信号V₁作为纵轴的测定结果。

在式子(3)中，系数A1对应于式(1)的V_off，系数A2对应于式(1)的根号内的合成磁场B₀的系数即2·B_b·sin(α－φ)，系数A3对应于式(1)的根号内的B_b的平方，系数A4对应于式(1)的上边的合成磁场B₀的系数即V_sat·cosφ，系数A5对应于式(1)的上边的B_b·V_sat·sinα。即，各系数A1～A5分别依存于上述的输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α，式子(1)和式子(3)实质上相同。

拟合系数运算部35A与第一实施方式一样，例如，跨越－10～+10mT的全部测定范围，以式(3)的V_f与输出电压信号V₁的波形相拟合的方式，通过最小平方法求出各系数A1～A5。此时，因为拟合系数运算部35A可以只单纯地求出系数，所以能够将运算处理简化使其高速化。

系数控制部36A在信号修正装置15A的存储部16A中写入通过拟合系数运算部35A求出的式(3)的各系数A1～A5，并且将存储部16A的信号修正标志设置为“1”。此外，在第二实施方式中，因为将信号修正装置15A和电流检测装置10A收纳在不同的芯片上，所以系数控制部36A可以在存储部16A中存储用于确定进行信号修正后的电流检测装置10A的芯片的ID编号等。由此能够将电流检测装置10A与信号修正装置15A一对一地对应起来。

除了通过拟合系数运算部35A求出的各系数A1～A5不同以外，第二实施方式的图9的控制部30A执行的信号修正处理以及图9的信号修正装置15A执行的信号修正处理与上述的图5以及图6相同，所以省略其说明。

第二实施方式的电流检测方法、电流检测装置的信号修正方法以及电流检测装置的信号修正装置能够适用于已设置在被测对象物中的电流检测装置或不具有信号修正部的电流检测装置。例如，能够对于已经设置在混合动力车或电动汽车等的电动机驱动部或太阳能电池等中的电流检测装置等连接信号修正装置15A，适当修正其输出信号。

此外，在上述的实施方式中，以半桥结构的磁检测元件11、12为例进行了说明，但是并不限于此，可以是将4个磁检测元件连接为桥状的全桥结构，也可以由1个磁检测元件构成。

在上述的实施方式中，以控制部30、30A是将个人计算机(PC)作为基本结构的控制用计算机的情况为例进行了说明，控制部30、30A也可以由一个芯片结构的微型计算机构成。

在上述的实施方式中，以具备螺线管线圈22的磁场产生装置20为例进行了说明，但是像已设置在被侧对象物中的电流检测装置等那样，难以收纳在螺线管线圈22内的情况下，能够通过在被测对象物中流过预定的电流来产生测定用磁通密度。此时，控制部30、30A通过对被测对象物输出电流控制用信号来进行控制，由此能够进行应对。

(第一以及第二实施方式的作用以及效果)

通过以上说明的第一以及第二实施方式，获得如下的作用以及效果。

(1)信号修正部15/信号修正装置15A基于存储在存储部16/16A中的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α/A1～A5)，对来自电流检测装置10的输出电压信号V_out施加修正，将其作为输出电压信号V₁进行输出。此时，控制部30/30A内的拟合系数运算部35/35A以式(1)的V_f与输出电压信号V₁的波形相拟合的方式，通过最小平方法求出各系数，所以从信号修正部15/信号修正装置15A输出的修正电压信号V₁变得输出电压相对于磁通密度的关系表示线性极高的大致线性，并且还能够扩大修正电压信号V₁的范围。

(2)在式(1)中，输出补偿系数V_off是图4所示的非线性的输出电压信号V₁成为点对称那样的输出电压值，饱和输出系数V_sat是图4所示的非线性的输出电压信号V₁表示上限值以及下限值的输出电压值，偏置磁场强度系数B_b是通过偏置磁场用磁铁或偏置线圈产生的偏置强度磁场，被测磁场方向的角度偏移系数φ是被测磁场B相对于磁化方向M_p1、M_p2形成的角度，偏置磁场方向的角度偏移系数α是偏置磁场B_b相对于与磁化方向M_p1、M_p2正交的直线形成的角度。因为这些系数对应于磁检测元件11、12的实际结构，所以通过使用以与测定值数据进行拟合的方式求出的各系数，从信号修正部15/信号修正装置15A输出的修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。

(3)信号修正部15/信号修正装置15A执行的信号修正处理基于式(2)以及存储在存储部16/16A中的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α)，对输出电压信号V_out进行大致线性化修正，将修正后的电压信号V_L作为输出电压信号V₁进行输出。在此，关于所述式(2)，使用将所述式(1)的V_f替换为V₁，将合成磁场B₀设为V₁的函数(B₀(V₁))的式子，所以从信号修正部15输出的修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。

(4)信号修正部15A执行的信号修正处理基于式(3)以及存储在存储部16的各系数(A1～A5)，对输出电压信号V_out进行大致线性化修正，并将修正后的电压信号V_L作为输出电压信号V₁输出。在这里，构成式(3)的系数A1对应于式(1)的V_out，系数A2对应于式(1)的根号内的合成磁场B₀的系数即2·B_b·sin(α－φ)，系数A3对应于式(1)的根号内的B_b的平方，系数A4对应于式(1)上边的合成磁场B₀的系数即V_sat·cosφ，系数A5对应于式(1)上边的B_b·V_sat·sinα，所以从信号修正部15A输出的修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。

(5)如图2所示，在将磁检测元件11、12与信号修正部15一起收纳在一个芯片内来构成电流检测装置10时，或者如图9所示，电流检测装置10A只将磁检测元件11、12收纳在一个芯片上，信号修正装置15A收纳在与电流检测装置10A不同的芯片上时，在任意一个情况下信号修正部15/信号修正装置15A基于存储在存储部16/16A的各系数(输出补偿系数V_off、饱和输出系数V_sat、偏置磁场强度系数B_b、被测磁场方向的角度偏移系数φ、偏置磁场方向的角度偏移系数α/A1～A5)，对来自电流检测装置10/10A的输出电压信号V_out施加修正，将其作为修正电压信号V₁输出，所以该修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。

(6)如图9所示，通过使用在与电流检测装置10A不同的芯片上收纳的信号修正装置15A，基于预定的系数将从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out作为大致线性变化的修正输出电压信号V_L进行输出，由此例如对于已经设置在混合动力车或电动汽车等的电动机驱动部或太阳能电池等被测对象物中的电流检测装置或不具有信号修正部的电流检测装置，也能够同样地输出接近于表示更高线性的大致线性的修正电压信号。

(7)进行从信号修正部15/信号修正装置15A输出的进行了大致线性化修正后的输出电压信号V₁是否大致线性地变化，即是否大致线性的判定，在判定为是线性(是)时，向存储部16/16A写入被视为大致线性变化的被测磁场的范围±B，在判定为不是线性(否)时，限定测定范围来再次进行拟合处理，所以修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。另外，向存储部16/16A写入被测磁场的范围±B，由此通过从存储部16/16A读出该范围±B，能够容易地确认电流检测装置10/10A的测定范围。

(实施方式的总结)

接下来，对于根据以上说明的实施方式而掌握的技术思想，援引实施方式中的符号等来进行记载。但是，以下的记载中的各符号并非将权利要求中的结构要素限定于在实施方式中具体表示的部件等。

[1]一种电流检测方法，其对于具备检测磁通密度(B)，输出与所述磁通密度(B)对应的电压信号(V_out)的磁检测元件(11、12)的电流检测装置(10/10A)，取得通过供给所述磁检测元件(11、12)能够检测的范围的磁通密度(B)而得到的表示所述磁通密度(B)与所述电流检测装置(10/10A)的输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，按照计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于所述磁通密度(B)大致为线性，并输出修正后的修正电压信号(V_L)。

该电流检测方法对将磁检测元件(11、12)和信号修正部(15)一起收纳在一个芯片内来构成的电流检测装置(10)，或者只将磁检测元件(11、12)收纳在一个芯片上构成的电流检测装置(10A)供给预定的磁通密度(B)，取得表示磁通密度(B)与电流检测装置(10/10A)的输出电压信号(V₁)之间关系的测定值数据，以使用取得的测定值数据与预定的式(1)或式(3)相互拟合的方式实施运算处理，计算系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，根据计算出的系数群，使用信号修正部(15)或信号修正装置(15A)将来自磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于磁通密度(B)成为大致线性，并输出该修正电压信号(V_L)。由此，能够使输出电压(V₁)相对于检测的磁通密度(B)的关系成为线性高的大致线性。

[2]根据上述[1]所述的电流检测方法，包含多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子由下式表示：

计算各系数A1～A5使得通过该式子得到的输出电压与所述测定值数据拟合。

该电流检测方法在执行运算处理时使用式(3)，以便与测定值数据相拟合。该电流检测方法以使式(1)成为合成磁场B₀的函数的方式，对各系数进行变形，并通过式(3)的系数A1～A5进行记载。这些系数A1～A5依存于式(1)的系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α)，表示相同的结果，能够纯粹地作为系数(A1～A5)来进行运算，所以能够利用已有的表计算软件等，简单地计算系数。

[3]根据上述[2]所述的电流检测方法，构成所述式子的系数A1是输出补偿系数V_off、系数A2是2·B_b·sin(α－φ)、系数A3是B_b的平方、系数A4是V_sat·cosφ、系数A5是B_b·V_sat·sinα，在所述系数A2～A5中，V_sat是饱和输出系数、B_b是偏置磁场强度系数、φ是被测磁场方向的角度偏移系数、α是偏置磁场方向的角度偏移系数。

因为构成式(1)的各系数(V_off、V_sat、B_b、φ、α)对应于磁检测元件(11、12)的实际结构，所以通过使用以与测定值数据进行拟合的方式求出的各系数，从信号修正部(15)/信号修正装置(15A)输出的修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。

[4]根据上述[2]或[3]所述的电流检测方法，按照将所述式(1)的输出电压信号V_f置换为输出电压信号V₁，并将合成磁场B₀设为所述输出电压信号V₁的函数B₀(V₁)时的下式和通过所述运算处理得到的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)来输出所述修正电压信号(V_L)，

V_L＝m×B₀(V₁)+n，

在该式子中，使系数m为0以外任意的值，n为任意的值。

该电流检测方法具体表示了信号修正部(15/15A)基于系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，对来自磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)进行修正时的运算式来作为式(2)。通过将式(1)或式(3)的输出电压信号V_f替换为输出电压信号V₁，并将合成磁场B₀作为输出电压信号V₁的函数(B₀(V₁))来获得该式(2)。

[5]一种电流检测装置(10/10A)，其具备：磁检测元件(11、12)，其检测磁通密度(B)，输出与所述磁通密度(B)对应的电压信号(V_out)；以及信号修正单元(15/15A)，其按照多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于所述磁通密度(B)大致为线性，并输出修正后的修正电压信号(V_L)，其中，所述多个系数群是通过进行运算处理使得通过向所述磁检测元件(11、12)供给磁通密度(B)而得到的表示磁通密度(B)与输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据与包含所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子相互拟合的方式而得到的系数群。

该电流检测装置(10/10A)对应于上述[1]所记载的电流检测方法。

[6]根据[5]所述的电流检测装置(10/10A)，包含多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子由下式表示：

计算各系数A1～A5使得通过该式子得到的输出电压与所述测定值数据拟合。

该电流检测装置(10/10A)对应于上述[2]所记载的电流检测方法。

[7]根据[6]所述的电流检测装置(10/10A)，构成所述式子的系数A1是输出补偿系数V_off、系数A2是2·B_b·sin(α－φ)、系数A3是B_b的平方、系数A4是V_sat·cosφ、系数A5是B_b·V_sat·sinα，在所述系数A2～A5中，V_sat是饱和输出系数、B_b是偏置磁场强度系数、φ是被测磁场方向的角度偏移系数、α是偏置磁场方向的角度偏移系数。

该电流检测装置(10/10A)对应于上述[3]所记载的电流检测方法。

[8]根据[6]所述的电流检测装置(10/10A)，所述信号修正单元(15)按照将所述式(1)的输出电压信号V_f置换为输出电压信号V₁，并将合成磁场B₀设为所述输出电压信号V₁的函数B₀(V₁)时的下式和通过所述运算处理得到的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)来输出所述修正电压信号，

V_L＝m×B₀(V₁)+n，在该式子中，系数m为0以外任意的值，n为任意的值。

该电流检测装置(10/10A)对应于上述[4]所记载的电流检测方法。

[9]一种电流检测装置(10)的信号修正方法，所述电流检测装置具备：磁检测元件(11、12)，其检测磁通密度(B)，输出与所述磁通密度(B)对应的电压信号(V_out)；以及信号修正单元(15)，其具备存储多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)的存储部(16)，在所述存储部(16)中没有存储所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)时，直接输出来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)，在所述存储部(16)中存储了所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)时，按照所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于所述磁通密度(B)大致为线性，并输出修正后的修正电压信号(V_L)，对于在所述信号修正单元(15)的所述存储部(16)中没有存储所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)的电流检测装置(10)供给所述磁检测元件(11、12)能够检测的范围的磁通密度(B)，取得由此而得到的表示所述磁通密度(B)与所述电流检测装置(10)的输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)存储在所述信号修正单元(15)的所述存储部(16)。

该电流检测装置(10)的信号修正方法对将磁检测元件(11、12)和信号修正部(15)一起收纳在一个芯片内而构成的电流检测装置(10)供给预定的磁通密度(B)，取得表示磁通密度(B)与电流检测装置(10)的输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据，使用取得的测定值数据以与预定的式(1)或式(3)相互拟合的方式实施运算处理，计算系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，按照计算出的系数群，使用信号修正部(15)将来自磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于磁通密度(B)成为大致线性，并输出该修正电压信号(V_L)。因此，能够使输出电压(V₁)相对于检测的磁通密度(B)的关系成为线性高的大致线性。

[10]根据[9]所述的电流检测装置(10)的信号修正方法，在所述信号修正单元(15)的所述存储部(16)中存储了所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)后，对于所述电流检测装置(10)，测定通过供给所述磁检测元件(11、12)能够检测的范围的磁通密度(B)而得到的所述修正电压信号(V_L)，判定测定到的所述修正电压信号(V_L)是否表示大致线性，在表示大致线性时，在所述存储部(16)中存储被测磁场的测定范围，在不表示大致线性时，限定被测磁场的范围，再次执行所述运算处理来计算所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，在所述信号修正单元(15)的所述存储部(16)中存储计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)以及所限定的所述被测磁场的范围。

该电流检测装置(10)的信号修正方法进行从信号修正部(15)输出的进行了大致线性化修正后的输出电压信号V₁是否大致线性地进行变化，即是否为大致线性的判定，在判定为是线性(是)时，向存储部(16)写入被视为大致线性地进行变化的被测磁场的范围±B，在判定为不是线性(否)时，限定测定范围，并再次进行拟合处理。由此，修正电压信号V₁成为接近于表示更高线性的大致线性的输出。另外，向存储部(16)写入被测磁场的范围±B，通过从存储部(16)读出该范围±B，能够容易地确认电流检测装置(10)的测定范围。

[11]一种电流检测装置(10A)的信号修正方法，对于具备检测磁通密度(B)，输出与所述磁通密度(B)对应的电压信号(V_out)的磁检测元件(11、12)的电流检测装置(10A)，取得通过供给所述磁检测元件(11、12)能够检测的范围的磁通密度(B)而得到的表示所述磁通密度(B)与所述电流检测装置(10A)的输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据，进行运算处理使得所取得的所述测定值数据与包含多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子相互拟合，由此来计算所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，在按照所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于所述磁通密度(B)大致为线性，并输出修正后的修正电压信号(V_L)的信号修正单元(15A)的所述存储部(16A)中存储计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，把在所述存储部(16A)中存储了所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)的所述信号修正单元(15A)作为所述电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)来使用。

该电流检测装置(10A)的信号修正方法使用收纳在与电流检测装置(10A)不同的芯片上的信号修正单元15A，基于预定的系数将从电流检测装置10A输出的输出电压信号V_out作为大致线性地变化的修正输出电压信号V_L进行输出，该信号修正方法与上述[9]所述的方法相同。由此，即使对于已设置在被测对象物中的电流检测装置或不具有信号修正部的电流检测装置(10A)，也能够使输出电压(V₁)相对于检测的磁通密度(B)的关系成为线性高的大致线性。

[12]根据[11]所述的电流检测装置(10A)的信号修正方法，在所述信号修正单元(15A)的所述存储部(16A)中存储了所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)后，对于所述电流检测装置(10A)，测定通过供给所述磁检测元件(11、12)能够检测的范围的磁通密度(B)而得到的所述修正电压信号(V_L)，判定测定到的所述修正电压信号(V_L)是否表示大致线性，在表示大致线性时，在所述存储部(16A)中存储被测磁场的测定范围，在不表示大致线性时，限定被测磁场的范围，再次执行所述运算处理来计算所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)以及所限定的所述被测磁场的范围存储在所述信号修正单元(15A)的所述存储部(16A)，把在所述存储部(16A)中存储了所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)以及所限定的所述被测磁场的范围的所述信号修正单元(15A)作为所述电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)来使用。

该电流检测装置(10A)的信号修正方法对应于上述[10]所述的电流检测装置(10)的信号修正方法。

[13]根据[9]至[13]中的任意一项所述的电流检测装置(10/10A)的信号修正方法，包含多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子通过下式来表示：

计算各系数A1～A5使得该式子的输出电压V_f与所述测定值数据拟合。该电流检测装置(10/10A)的信号修正方法对应于上述[2]所述的电流检测方法。

[14]根据[13]所述的电流检测装置(10/10A)的信号修正方法，构成所述式子的系数A1是输出补偿系数V_off、系数A2是2·B_b·sin(α－φ)、系数A3是B_b的平方、系数A4是V_sat·cosφ、系数A5是B_b·V_sat·sinα，在所述系数A2～A5中，V_sat是饱和输出系数、B_b是偏置磁场强度系数、φ是被测磁场方向的角度偏移系数、α是偏置磁场方向的角度偏移系数。

[15]根据[13]或[14]所述的电流检测装置(10/10A)的信号修正方法，所述电流检测装置(10/10A)的所述信号修正单元(15/15A)按照将所述式(1)的输出电压V_f置换为输出电压V₁，并将合成磁场B₀设为所述输出电压V₁的函数B₀(V₁)时的下式和通过所述运算处理计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)来输出所述修正电压信号(V_L)，

V_L＝m×B₀(V₁)+n，在该式子中，使系数m为0以外任意的值，n为任意的值。

该电流检测装置(10/10A)的信号修正方法对应于上述[3]所记载的电流检测方法。

[16]一种电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)，其与具备检测磁通密度(B)，并输出与所述磁通密度(B)对应的电压信号(V_out)的磁检测元件(11、12)的电流检测装置(10/10A)相连接，修正并输出所述输出电压信号(V₁)，信号修正装置(15A)按照多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)，将来自所述磁检测元件(11、12)的输出电压信号(V₁)修正为相对于所述磁通密度(B)大致为线性，并输出修正后的修正电压信号(V_L)，所述多个系数群是通过进行运算处理使得通过向所述磁检测元件(11、12)供给磁通密度而得到的表示磁通密度(B)与输出电压信号(V₁)之间的关系的测定值数据与包含所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)而构成的表示磁检测元件(11、12)的输出电压的式子相互拟合的方式而得到的系数群。

该电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)对应于上述[11]所述的电流检测装置(10A)的信号修正方法。

[17]根据[16]所述的电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)，包含多个系数群而构成的表示磁检测元件的输出电压的式子通过下式来表示：

计算各系数A1～A5使得该式子的输出电压V_f与所述测定值数据拟合。

该电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)对应于上述[3]所述的电流检测方法、以及上述[13]所述的电流检测装置(10A)的信号修正方法。

[18]根据[17]所述的电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)，构成所述式子的系数A1是输出补偿系数V_off、系数A2是2·B_b·sin(α－φ)、系数A3是B_b的平方、系数A4是V_sat·cosφ、系数A5是B_b·V_sat·sinα，在所述系数A2～A5中，V_sat是饱和输出系数、B_b是偏置磁场强度系数、φ是被测磁场方向的角度偏移系数、α是偏置磁场方向的角度偏移系数。

[19]根据[17]或[18]所述的电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)，按照将所述式(1)的输出电压V_f置换为输出电压V₁，并将合成磁场B₀设为所述输出电压V₁的函数B₀(V₁)时的下式和通过所述运算处理计算出的所述多个系数群(V_off、V_sat、B_b、φ、α/A1～A5)来输出所述修正电压信号(V_L)，

V_L＝m×B₀(V₁)+n，在该式子中，使系数m为0以外任意的值，n为任意的值。

该电流检测装置(10A)的信号修正装置(15A)对应于上述[4]所述的电流检测方法、以及上述[14]所述的电流检测装置(10A)的信号修正方法。

以上说明了本发明的实施方式，但是上述记载的实施方式并不限定权利要求范围的发明。另外，应该留意在用于解决发明课题的手段中未必需要在实施方式中说明的全部特征组合。

符号的说明

V_off：输出补偿系数

V_sat：饱和输出系数

B_b：偏置磁场强度系数

φ：被测磁场方向的角度偏移系数

α：偏置磁场方向的角度偏移系数

A1～A5：系数

10、10A：电流检测装置

11、12：磁检测元件

15：信号修正部

15A：信号修正装置

16、16A：存储部

20：磁场产生装置

21：磁屏蔽盒

22：螺线管线圈

30、30A：控制部

31：被测磁场用恒流源

32：恒压源

34、34A：电压测定部

35、35A：拟合系数运算部

36、36A：系数控制部。