首页> 中国专利> 保护性涂层、具有保护性涂层的涂覆构件以及生产保护性涂层的方法

保护性涂层、具有保护性涂层的涂覆构件以及生产保护性涂层的方法

摘要

本发明涉及保护性涂层,所述保护性涂层具有化学组成C

著录项

  • 公开/公告号CN102459688A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司;

    申请/专利号CN200980159874.9

  • 发明设计人 J·维特;

    申请日2009-06-18

  • 分类号C23C14/06;C23C16/26;C23C28/04;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李进

  • 地址 德国贝吉施-格拉德巴赫

  • 入库时间 2023-12-18 05:17:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-11

    授权

    授权

  • 2012-07-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20090618

    实质审查的生效

  • 2012-05-16

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明涉及具有优良的滑动特征和改善耐热性的构件(member)的 保护性涂层,所述保护性涂层通过在需要具有耐磨性和足够的高温抗 氧化性的构件上形成硬薄膜而生产;涉及具有保护性涂层的涂覆构 件,如切割工具、模、成形工具、发动机部件、燃气涡轮机等;且还 涉及生产用于构件的保护性涂层(特别是多层薄膜)的方法。

背景技术

滑动构件经常用氮化物涂层涂覆,如CrN或TiN,然而,也越来 越多地应用金刚石样碳(DLC)。认为涂覆滑动构件是有用的,因为容 易提供光滑表面,并且摩擦特征优良。例如,专利参考文献1公开在 金属基材上形成a-C:H型DLC薄膜的技术。专利参考文献2描述通过 加入不同的金属改性a-C:H涂层。将这些涂层称为a-C:H:Me涂层。 专利参考文献3通过将薄膜中的氢内容物含量限定在约5%原子的低 水平而实现改善耐热性,并增加DLC薄膜的硬度。专利参考文献4 和专利参考文献5公开在碳薄膜中含有Si的DLC薄膜。

专利参考文献6说明通过加入硅或硼改变a-C:H涂层的光学性质。

然而,由于在专利参考文献1至6中提到的涂层基于碳与一些成 合金元素,如氢和/或金属,或硅或硼,其耐热性改善在相稳定性中限 于约350-400℃,在空气中氧化方面限于约400-500℃。

与此相反,本发明的申请人提出如专利参考文献7的基于 Si(BCNO)的薄膜,用于提高其耐热性,并进一步增加其硬度。因此, 用于切割工具和耐磨构件的薄膜的耐磨性和耐热性显著提高。相对于 专利参考文献7,本发明不仅要提高耐磨性和耐热性,而且增强薄膜 均滑动特征。

[现有技术参考文献]

[参考文献]

[专利参考文献1]DD 258341

[专利参考文献2]DE 32 46 361A1

[专利参考文献3]EP-A-1 266 879

[专利参考文献4]EP-A-1 783 349

[专利参考文献5]WO 97/12075

[专利参考文献6]WO 00/56127

[专利参考文献7]EP-1 783 245

发明概述

[待解决的问题]

对于汽车应用,必须减少CO2排放。实现它的一种方式是减少发 动机和传输中的摩擦损失。这可通过涂覆部件(如挺杆、喷射系统部件 和活塞环或衬垫)而实现。

然而,传统DLC涂层显示一些耐热性限制。

需要改善传统DLC涂层性质的另一个实例是切割技术领域。最 近的趋势指向在高效加工条件下短时操作,用于缩短生产时间。因此, 对于比常规更先进的高效操作,切割速度加快且进料量增加。例如, 切割速度加速可增加加工热量,并且工具由于热量可能受到更大损 伤。另一方面,在进料量增加时,工具和被加工物体之间的界面压力 增加,因此,引起在增加的界面压力下的早期磨损。此外,减少润滑 剂的量也是现代生产中的一个重要目标。因此,必须减小摩擦,尤其 在切片传输(chip transport)区域。

虽然在任何情况下可能有一些差异,但加工热的影响大于常规加 工条件,并且必须改善工具和涂覆工具表面的薄膜的耐热性和抗氧化 性。另外,也需要高硬度和高润滑性的物理性质,以抑制高界面压力 下发生的磨损。因此,本发明的目的也是提供多层薄膜涂覆的构件, 此构件用具有与常规DLC类似水平的润滑性特征并且具有足够高硬 度和足够高耐热性的硬薄膜涂覆,本发明也提供生产它的方法。

[解决问题的方法]

本发明涉及涂覆构件,所述构件用包含碳、硅和硼作为主要成分 的硬薄膜涂覆。

因此,本发明提供保护性涂层,所述保护性涂层具有化学组成 CaSibBdNeOgHlMem,其中Me为至少一种选自{Al,Ti,V,Cr,Zr, Nb,Mo,Hf,Ta,W,Y,Sc,La,Ce,Nd,Pm,Sm,Pr,Mg, Ni,Co,Fe,Mn}的金属,并且a+b+d+e+g+l+m=1。根据本发明,满 足以下条件:0.45≤a≤0.98,0.01≤b≤0.40,0.01≤d≤0.30,0≤e≤0.35, 0≤g≤0.20,0≤l≤0.35,0≤m≤0.20。

如上述式中清楚公开的,另外的改性元素,如氮和氧,可包含于 薄膜中。如本发明说明书以后公开的,也可包括一些金属元素,尤其 在需要它们以产生足够高品质的靶用于薄膜沉积时。由沉积方法引 起,通常在涂层中加入一些氢。也可能加入来自靶制造的其它杂质(例 如,In)。如果溅射方法用于涂覆过程,也可能包括残余溅射气体(例 如,Ar)。

由于薄膜含有硅和硼,它变得比分别只具有硅或只具有硼或只具 有金属的含碳涂层在耐热性方面更稳定。即,其耐热性显著提高,并 且薄膜可甚至在更苛刻的工作环境下显示足够耐热性。另外,由于薄 膜适当含有无定形碳,其润滑性特征优良。

在涂层中存在游离无定形碳是重要的,这意味存在不化学键合到 硅或硼的碳。碳原子相互键合,在薄膜中形成自己的相。为了将它表 征,已证明拉曼光谱为适合的方法。在拉曼光谱中在1300和1600cm-1之间检测的峰为从无定形碳得到的峰。增加涂层中碳含量的一种简单 方法是溅射至少含硅和硼的靶。在薄膜形成期间,可用限定的基于烃 的气体调节形成的薄膜的C含量,因此其中如果达到足够高的碳含量, 则C元素相互键合,而不键合到任何其它元素(排除氢),特别是一定 量的碳不键合到硅和硼,因此形成C-C键合。这在检测C-C键的拉曼 光谱中的数据得到证明。

如果在基材和硬薄膜之间,构件具有另外的硬薄膜,所述硬薄膜 包含至少两种选自Al、Ti、Cr、Nb、W、V、Zr、Hf、Ta、Mg、Mo、 Y、Sc、La和镧系元素(如Ce、Pr、Nd、Pm、Sm)的金属成分和至少 一种选自N、C、O;Si、B和S的非金属成分,则另外的硬薄膜与上 述硬薄膜A一起形成多层结构。因此,硬薄膜A于基材的粘着增强, 并且硬薄膜A能够充分地显示其性质。

另外,在沉积硬薄膜A之前,通过在基材表面沉积金属中间层(例 如,Cr或TiSi),也可调整涂层的粘着。

在本发明的多层薄膜涂覆的构件中,在用硬薄膜涂覆时,薄膜具 有极大提高的润滑性和耐热性。本发明不仅提供作为功能性表面的唯 一涂层的硬薄膜A,而且提供用硬薄膜A涂覆的多层薄膜涂覆的构件 和生产它的方法。

本发明的涂层的特殊实施方案显示于图1a和图2中。在图1中, 硬薄膜A和硬薄膜B两者均为单层,因此,涂覆构件具有双层结构。 硬薄膜A位于构件的最外表面侧上。在图2中,硬薄膜A和硬薄膜B 两者均具有多层结构。硬薄膜A位于构件的最外表面侧上。

生产本发明的多层薄膜涂覆的构件的方法为适用于用具有上述 特征的薄膜涂覆构件的方法。

附图简述

[图1]图1显示具有单层结构的本发明的一般实施方案。

[图1a]图1a显示双层结构的薄膜涂覆的构件的一般层结构。

[图2]图2显示多层结构的薄膜涂覆的构件的一般层结构。

[图3]图3显示用于本发明的薄膜涂覆的构件的薄膜形成所用装 置的一个实例。

[图4]图4为在本发明的实施例1中热处理后涂覆构件的横截面的 扫描电子显微相片。

[图5]图5为从本领域现状已知的常规实施例38热处理后涂覆构 件的横截面的扫描电子显微相片。

[图6]图6显示本发明的实施例1中的拉曼光谱的数据。

图1显示具有单层结构的本发明的一般实施方案,其中单层为 CSiBNOHMe层。在一个特殊实施方案中,根据图1的涂层可具有组 成C0.65Si0.20B0.08N0.05O0.02。600nm厚涂层具有例如2100+/-100的纳米 硬度。涂层为X-射线无定形,例如,检测不到来自涂料的折射峰。由 基材(烧结碳化物)弯曲方法测量的应力为约1,2GPa。

下面关于显示游离碳含量的测量作更详细的讨论。例如,关于拉 曼光谱,Ix表示从无定形碳得到的峰。已知峰强度依薄膜厚度变化, 因此,不可能从峰强度确定薄膜中存在的无定形碳的绝对量。关于其 中存在相同量无定形碳但具有不同厚度的薄膜,较厚的薄膜倾向于得 到较高的峰强度。因此,必须使用试图排除峰强度的厚度依赖性的方 法。为此,使用光谱中的背景中的最大强度Iy,并且将无定形碳的存 在量相对地定义为在Ix的无定形碳的峰强度与背景中的最大强度Iy 的强度比。Iy是背景中的最大强度,与Ix一样,其强度根据薄膜厚度 变化。较厚的薄膜得到较高的Ix和Iy,因此认为比率Ix/Iy限定相对 于它的无定形碳的存在量。

在所述方法限度内,有以下发现。至少,满足3.2≤Ix/Iy,薄膜具 有润滑性特征的效果。在Ix/Iy<3.2时,则薄膜中无定形碳的相对存在 量小,因此,薄膜不能有较低的润滑效果。在Ix/Iy>8.0时,则薄膜中 无定形碳的相对存在量大,因此,薄膜的耐热性较低,结果是薄膜用 途较受限制,然而,润滑性质和耐热性相对于常规DLC薄膜改善。 由于对于实施例的沉积,在薄膜形成中使用基于烃的气体,因此已证 明在薄膜中也检测到C-H键。图6显示拉曼光谱的数据的实例。

对于拉曼光谱,使用Seki Technotron的微激光拉曼光谱仪。测定 条件如下:

(测定条件)

用于激发的固体激光器波长:532nm。

检测器:冷却CCD多通道。

光谱仪:Chromex 250,为成像摄谱仪。

运行时间:60秒。

样品条件:室温,在空气中。

在含有氧的硬薄膜A的实施方案中,从磨损环境下薄膜的润滑性 和抗氧化性的观点来看,优选控制薄膜中的氧浓度,使得表面层附近 的区域最高,所述区域为从最外表面层降至薄膜厚度方向上至多 500nm范围。优选氧作为与硅或硼的氧化物存在于薄膜中。在氧作为 其固溶体存在于薄膜的情况下,则它可在例如导致磨损偶合的接触区 域中较高温度的操作期间,形成氧化硅和氧化硼。在此情况下,组成 摩擦相对部分的构件的成分可扩散到薄膜内,从而经常引起熔合(melt  fusion),并使薄膜的机械性质变坏。因此,期望氧以其中的氧化物形 式存在于薄膜中。

如果溅射从含有硅和硼的靶(例如,SiC/BN混合物)进行,不控制 Ix/Iy比,将反应气体—基于烃的气体(例如,C2H2)的流速Fy与薄膜形 成中的工艺气体氩气的流速Fx的比率Fy/Fx控制到例如 0.007≤Fy/Fx≤0.50。优选将该阶段中薄膜形成压力控制在约0.01Pa至 3.0Pa的范围内。在Fy/Fx<0.007时,则基于烃的气体的流速低,因此 导致Ix/Iy<3.2。因此,薄膜中无定形碳的存在量减少,薄膜不能有足 够的润滑性特征。另一方面,在Fy/Fx>0.50时,则Ix/Iy>8.0,结果是 薄膜的用途更限于较低温度用途,然而仍显示改善的耐热性。因此, 优先将比率Fy/Fx控制到0.007≤Fy/Fx≤0.50。

作为基于烃的气体,本文中可使用甲烷、乙炔、苯或甲基苯,优 选乙炔。

在本发明中双层结构的硬薄膜B的主要作用是使硬薄膜A的性质 与硬薄膜B的性质组合。硬薄膜A和硬薄膜B可分别具有图2中所 示的多层结构。例如,硬薄膜A为CSiB,并且它可具有多层结构, 其中C含量在其表面层附近的区域增加。硬薄膜B也可具有多层,例 如(TiAl)N/(TiSi)N结构。在此结构中,(TiSi)N施用于硬薄膜A和 (AlTi)N之间,从而增加多层薄膜的耐磨性和粘着性。或许,硬薄膜A 对整个多层薄膜的比例不能增加,因为硬薄膜A可增加多层薄膜的残 余压缩应力,在此情况下,硬薄膜B增厚。关于硬薄膜A与硬薄膜B 之比,硬薄膜A的比例优选相对于整个多层薄膜(作为100%)为2%至 50%。为了使硬薄膜A充分显示其特征,硬薄膜B必须具有对基材表 面优良的粘着强度。

在本发明中,可用RF根据溅射方法形成硬薄膜A。在此情况下, 优选使用碳化硅和氮化硼的复合靶,然而,碳化硅和氮化硼可在不同 涂料源中布置,并且二者可同时溅射,以形成硬薄膜A。

不仅限于以下PVD方法,可使用其它磁控管溅射方法,例如DC 溅射或脉冲溅射,包括从复合靶高功率脉冲磁控管溅射,复合靶如碳 靶,并具有由SiC、B4C组成的插入物和含有氮气的反应性气体。

通过用Si和硼掺杂碳阴极和/或用含有硼或硅的适合反应性气体, 也可使用蒸镀方法来沉积本发明的涂层。

沉积此涂层的另一种简单方法是,通过使用包含至少碳、硅和硼 的适合前体的纯CVD和PE-CVD方法。

在形成多层薄膜的一种优选方法中,硬薄膜A根据溅射方法形 成,硬薄膜B根据电弧离子电镀法(AIP方法)和/或溅射方法形成。例 如,在图1a中,重要的是硬薄膜B的薄膜3具有对基材2增强的粘 着强度,因此,AIP方法对基材2和薄膜3之间的界面区域是优选的。 界面区域以外的其它区域可根据溅射方法形成,进一步提高形成的薄 膜的耐磨性。所述方法可与AIP方法组合。薄膜4的硬薄膜A根据溅 射方法涂覆。在涂层薄膜形成中,关于溅射方法中的涂料源和偏压电 源及AIP方法中的偏压电源,可使用高频电源或直流电源,但从涂覆 过程中的稳定性方面来看,高频电源用于溅射电源。考虑到硬薄膜的 导电性和硬薄膜的机械性质,更优选高频偏压电源作为偏压电源。

图3为显示用于涂覆本发明的基材的涂覆装置13的结构的视图。 涂覆装置13包括真空室10、4个涂料源5、6、7和8及其挡板14、 15、16和17。在此之中,5和7分别为RF涂料源,6和8分别为电 弧源。各涂料源具有其挡板,此挡板单独阻挡涂料源。挡板相互独立 驱动,因此能够单独阻挡相应的涂料源。因此,在涂覆过程期间,不 必临时停止涂料源。氩工艺气体和反应气体N2、O2或C2H2送入真空 室10,因此真空室10具有提供开关装置的蒸气入口12。提供有旋转 装置的基材支架11与直流(DC)偏压电源或高频(RF)偏压电源9连接。 关于薄膜的涂覆方法,以下描述涂覆装置13的移动机制和涂覆方法 的一个优选实施方案。

(1)清洁:

在由基材支架11保持后,将基材2在250℃加热到800℃。在此 期间,所有的源挡板保持关闭。通过从偏压电源9对基材施加脉冲偏 压,用离子使其清洁。

(2)涂覆硬薄膜B

在基材如此清洁后,将用于电弧源6和8的挡板15和17打开, 将基材涂覆上硬薄膜B。可根据DC溅射方法或DC-AIP方法形成硬 薄膜B。为形成薄膜所给的DC偏压优选为约10V至400V。或许, 也可利用双极脉冲偏压。在此阶段的频率优选在0.1kHz至300kHz的 范围内,正偏压优选在3V至100V的范围内。脉冲/暂停比可在0.1 至0.95的范围内。在硬薄膜B形成期间,驱动RF涂料源5和7,同 时保持挡板14和16关闭。这是为了从靶表面去除杂质,如氧化物。 在硬薄膜B形成后,打开挡板14和16,同时驱动RF涂料源5和7, 以开始下一薄膜形成。

(3)涂覆硬薄膜A:

从RF磁控管源5和7形成至少由CSiB组成的硬薄膜A。具体地 讲,RF磁控管源5和7优选为碳化硅和氮化硅的复合靶材料。通过 将乙炔等工艺气体经蒸气入口12提供到真空室10,硬薄膜A的表面 侧可含有较大量碳。优选在硬薄膜A中的碳含量在较接近表面侧的区 域中较高,这有助于增强薄膜的滑动特征。

涂层显示1500至3500的一般硬度,和-0.5至-3.5GPa的通过弯曲 试验对烧结碳化物测量的本征宏观应力(涂层厚度约1,5um)。

所有涂层为X-射线无定形。

如果单层薄膜A直接涂在基材上,则进行排除沉积薄膜B的类似 涂覆程序。另一个实例是在沉积薄膜A之前沉积金属中间层代替氮化 物涂层。

通过薄膜B和薄膜B的中间沉积,也可沉积具有多于两层的多层。 如果此时运行用于传统硬涂层(如AlTiN)的源(例如AIP)和用于薄膜A 的源(例如溅射源),则通过将基材从薄膜B的源类型移到薄膜A的源 类型而产生纳米多层。

以下参考实施例描述本发明。

实施例1

为了评价本发明的硬薄膜A的物理性质,根据下述涂覆方法,用 含有3%重量或更多且小于12%重量Co含量的硬金属,将基材涂上硬 薄膜。在大多数研究情况下,首先沉积薄膜B。这样进行是要直接显 示此薄膜A在基材上保护的影响(而不是硬薄膜B)。

涂覆方法包括第一步骤,在500℃加热工具;第二步骤,通过对 其施加脉冲偏压而将工具离子清洁约30分钟,所述脉冲偏压具有 200V的负电压、30V的正电压、20kHz的频率和4的脉冲/暂停比; 第三步骤,用来自电弧源的(AlTi)N涂覆工具;第四步骤,通过使溅 射靶放电,使靶表面清洁,同时关闭挡板,同时保持用来自电弧源的 (AlTi)N涂覆工具;第五步骤,通过从RF磁控管源RF溅射涂层,用 摩尔混合比为1/3的BN/SiC靶,涂覆硬薄膜A;和第六步骤,除了对 其施加RF偏压外,通过对样品施加具有50V负电压的DC偏压,以 RF+DC涂覆硬薄膜A。根据以上第一步骤至第六步骤的方法,涂覆工 具。在第六步骤,将乙炔作为反应气体与进入的工艺气体Ar一起引 入室中作为Ar+C2H2混合气体,将比率控制为Fy/Fx=0.05。最后,层 叠物结构包含以那个次序层叠的(AlTi)N和硬薄膜A,薄膜厚度为约 3μm。根据第一涂覆方法涂覆的样品为本发明的实施例1。在实施例1 中硬薄膜2的组成有多种变化,从而产生本发明的实施例2至实施例 36的样品。引入室的Ar+C2H2混合气体的比率(Fy/Fx)有多种变化,从 而产生本发明的实施例2至实施例7和35至36的样品。

那些实施例的细节显示于表1中。

表1:本发明的特殊实施方案和从本领域现状已知的实施例

通过表2,显示了表1中所给实施例的相应摩擦系数和氧化厚度。

表2:表1中所给实施例的摩擦系数和氧化厚度。本发明薄膜A 的涂层厚度约(600+/-100)nm。

除了表1中本发明的特殊实施方案外,也研究了本发明的多种涂 覆薄膜的单涂层性质,结果由实施方案I至V在表3中显示。

表3:本发明的另外实施方案。

在硬薄膜A的本发明的实施例1至实施例7中,控制Fy/Fx,因 此改变无定形碳的含量,结果Ix/Iy因而改变。另一方面,在实施例 35和实施例36中,选择Fy/Fx,以得到高碳含量,导致高Ix/Iy。在 比较实施例39至实施例41中,在薄膜形成中未使用基于烃的气体。 低碳含量直接由溅射混合靶(SiC/BN)引起。

为了评价本发明的薄膜A的滑动特征,通过使用球盘型摩擦试 验,试验本发明实施例和比较实施例的涂覆构件的摩擦系数。关于摩 擦系数的值,将从滑动开始到其结束的数据平均,成为试验样品的摩 擦系数。

在试验中,使用SUJ2的φ6-球材料,和通过涂覆ISO型号 SNMN120408(相当于K10)的烧结碳化物插入物而制备的盘,并且本 发明的薄膜A主要沉积在薄膜B。注意,摩擦性能取决于薄膜A,因 为薄膜A在摩擦试验期间从不完全磨损。

(试验条件)

滑动速度:100mm/秒

滑动半径:3.0mm

负荷:2N

滑动距离:50m

试验温度:室温,300℃,500℃

试验气氛:在空气中,无润滑

样品的试验结果显示于表2中。

表2和表3中摩擦系数的发现数据证明,薄膜A和由它产生的本 发明的多层薄膜涂覆的构件样品均具有在室温、在300℃和在500℃ μ<0.3的摩擦系数,因此,具有优良的摩擦特征。这是由于在那些样 品中硬薄膜A的润滑性特征的效果。从这些结果了解,本发明的薄膜 涂覆构件具有在室温至500℃温度范围内μ≤0.3的摩擦系数。另一方 面,在比较实施例中,并非所有样品的摩擦系数都能为μ≤0.3。例如, 在比较实施例38中,在高温范围的摩擦系数为μ<0.3,但在室温的摩 擦系数μ=0.7,这是高的。这是因为,在高温环境,加入的元素硼显示 其润滑效果,但在室温范围,该元素不显示该效果。在比较实施例42 和43中,摩擦系数为μ<0.1,并且在室温周围极低,但在高温范围, 摩擦系数对薄膜的石墨化和氧化不稳定。由于在较高温度(500℃)的高 波动,难以得到明确的摩擦值。

具有最高碳的样品35和36显示和标准DLC-涂层在500℃类似的 摩擦值。

然而,该涂层仍相对于标准DLC涂层显示一些优点,如后所示。

热处理本发明实施例和比较实施例的样品,并试验它们的抗氧化 性。用具有8%重量Co含量的超细微粒烧结碳化物合金的插入物作为 试验中的基材。在空气中在1000℃和58%湿度条件下,将样品保持2 小时,然后用冷空气流冷却。在热处理后,用扫描电子显微镜(以后称 为SEM)分析硬薄膜的横截面,从而测量氧化物层的厚度。氧化物层 厚度显示于表2和表3中。应提到,比较实施例42和43,作为没有 硼和硅的硬碳涂层,不能经受高氧化温度。具有高碳含量的实施例35 和36仍显示对氧化的良好稳定性。

为了证明薄膜A的优良耐热性,显示SEM(扫描电子显微镜)图像。

图4和图5为热处理后样品的SEM(扫描电子显微镜)图像。图4 为本发明实施例1的样品的SEM相片,图5为比较实施例38的样品 的SEM相片。比较实施例38的样品,作为在顶上具有TiSiN涂层的 硬涂层,具有在传统硬涂层组内的高温环境下优良的抗氧化性。在图 4和图5两者中,只有薄膜被氧化,基材未被氧化。在图4的本发明 实施例1的样品中,只有薄膜A的表面层被氧化,并且氧化物层的厚 度为100nm,或者说,氧化物层极薄。另一方面,在图5中本发明的 比较实施例38的样品中,氧化物层的厚度为900nm。

结果证明,本发明的薄膜具有高温环境下优良的抗氧化性。

工业实用性

总的来说,本发明提供具有优良的抗氧化性和润滑性特征的硬保 护性涂层的解决方法,因此,可应用于需要良好耐磨性和良好高温抗 氧化性的构件,如切割工具、模、成形工具、发动机部件、燃气涡轮 机等,也可应用于需要良好滑动特征的构件,如汽车发动机部件等。

除了由至少元素CSiB组成的单层薄膜外,也可沉积由传统硬涂 层加上由至少元素CSiB组成的薄膜组成的两层多层薄膜,以及各类 型多于一个单层的多层。由至少元素CSiB组成的薄膜和传统硬涂层 (例如,AlTiN或AlCrMgSiN)两者的各单层的厚度可以在纳米范围内。

[附图标记说明]

1 多层薄膜涂覆构件

2 基材

3 硬薄膜B

4 硬薄膜A

5 RF涂料源

6 电弧源

7 RF涂料源

8 电弧源

9 DC偏压电源或高频(RF)偏压电源

10 真空室

11 基材支架

12 蒸气入口或蒸气出口

13 涂覆装置

14 挡板

15 挡板

16 挡板

17 挡板

去获取专利,查看全文>

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号