首页> 中国专利> 形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法

形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法

页面导航

摘要

提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中；在所述反应室中形成H

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-05-21

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20070711 申请日:20060509

发明专利申请公布后的驳回
2009-01-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-07-11

公开

公开

1. 一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法 [P] . 中国专利： CN104649247A . 2015-05-27
2. 一种氮掺杂单壁碳纳米管的制备方法 [P] . 中国专利： CN107628598B . 2020.05.15
3. Method of forming nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes [P] . 美国专利： US7713509B2 . 2010-05-11

机译：形成氮掺杂的单壁碳纳米管的方法
4. Method of forming nitrogen-doped single-walled carbon nanotubes [P] . 美国专利： US2007157348A1 . 2007-07-05

机译：形成氮掺杂的单壁碳纳米管的方法
5. Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices [P] . 美国专利： US2019027412A1 . 2019-01-24

机译：包含氮掺杂栅极电介质的半导体器件及其形成方法