法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-05-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B15/10 授权公告日:20070919 终止日期:20120317 申请日:20050317
专利权的终止
2007-09-19
授权
授权
2005-12-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-19
公开
公开
机译: 非磁性石榴石单晶体,非磁性石榴石单晶体,制造非磁性石榴石单晶体的方法以及制造非磁性石榴石单晶体的方法
机译: 化合物半导体基板在金属层上生长,其制造方法以及使用该化合物半导体的化合物半导体器件
机译: 在金属层上生长的化合物半导体衬底,其制造方法以及使用该化合物半导体的化合物半导体器件