公开/公告号CN1618117A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 信越半导体株式会社;
申请/专利号CN02827641.8
申请日2002-11-27
分类号H01L21/205;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘宗杰;叶恺东
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 16:08:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-09-19
授权
授权
2005-07-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-18
公开
公开
机译: 基座,气相生长装置,外延晶片制造装置,外延晶片制造方法和外延晶片
机译: 基座,气相生长装置,用于制造外延晶片的装置和方法以及外延晶片
机译: 基座,气相生长装置,用于制造外延晶片的装置和方法以及外延晶片