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公开/公告号CN85107309A
专利类型发明专利
公开/公告日1986-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社日立制作所;
申请/专利号CN85107309
发明设计人 樋口晋介;竹田幸男;饭岛史郎;大浦正树;长池完训;
申请日1985-09-30
分类号G11B21/21;C04B35/48;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部;
代理人郁玉成
地址 日本东京都千代田区
入库时间 2023-12-17 11:53:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1986-07-02
公开
1986-03-10
实质审查请求
机译: 薄膜磁头,磁头滑块,磁头万向架组件,磁头臂组件,磁盘装置和薄膜磁头的制造方法
机译:薄膜磁头滑块的陶瓷材料
机译:薄膜磁头滑块陶瓷材料
机译:制造薄膜磁头/滑块设备的新方法
机译:由于涉及分子间力的热致动凸起或移动凸块,磁头滑块具有接触和偏离磁道运动的动力学模型。
机译:简便的制备方法和增强的催化性能自组装钯纳米颗粒负载的纳米复合薄膜的制备通过静电纺方法
机译:在Si滑块上制造用于测量磁头-磁盘相互作用的薄膜压电冲击传感器阵列
机译:阴极电弧沉积非晶态硬碳薄膜在磁头/磁盘摩擦学中的应用