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半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液和光学部件

摘要

本发明的目的在于提供具有较高的量子效率,并且耐候性也较高的半导体纳米粒子。本发明的实施方式的半导体纳米粒子为至少包含In、P、Zn、Se、S和卤素的半导体纳米粒子,所述P、所述Zn、所述Se、所述S和所述卤素的含有率以相对于所述In的摩尔比计为:P:0.05~0.95,Zn:0.50~15.00,Se:0.50~5.00,S:0.10~15.00,卤素:0.10~1.50。

著录项

  • 公开/公告号CN111566045A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭荣化学工业株式会社;

    申请/专利号CN201880084307.0

  • 发明设计人 森山乔史;本吉亮介;

    申请日2018-12-19

  • 分类号C01B25/14(20060101);B82Y30/00(20060101);C01B25/08(20060101);C09K11/88(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人张涛

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 11:20:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    公开

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