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筛选SBAR规则的方法

摘要

本发明涉及筛选SBAR规则的方法,涉及半导体集成电路中的光学临近效应修正技术,在筛选SBAR规则过程中,首先提供一第一图案,在第一图案周围生成不同SBAR规则,以生成带有不同SBAR规则的第一图案集合;然后生成不同焦点下的光学模型;然后确定最佳的焦点值;然后确定光强的阈值;最后利用最佳的焦点值对应的光学模型对带有不同SBAR规则的第一图案进行仿真,得到带有不同SBAR规则的第一图案的焦深,筛选出焦深大于一第一阈值的带有SBAR规则的图案,将其对应的SBAR规则为备用SBAR规则,如此在筛选SBAR规则的过程中不需要针对多种不同SBAR规则出版掩膜版,不仅可以节省掩膜版和人力物力,同时还可以缩短开发周期。

著录项

  • 公开/公告号CN110647008A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910914949.5

  • 发明设计人 刘雪强;戴韫青;于世瑞;

    申请日2019-09-26

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人张彦敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2023-12-17 06:26:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/36 申请日:20190926

    实质审查的生效

  • 2020-01-03

    公开

    公开

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