合成金属泡沫的方法、金属泡沫、其用途和包含该金属泡沫的器件

摘要

本发明涉及合成金属泡沫的方法、金属泡沫、其用途和包含该金属泡沫的器件，具体地，本发明涉及合成至少一种金属M的具有多孔微米结构的金属泡沫的方法。所述方法包括接触辉光放电电解的步骤，所述电解是在于在电解溶液中进行的电解等离子体还原，在所述电解溶液中浸有与连续电源相连的阳极和阴极，所述电解溶液包含在溶剂中的至少一种第一电解质，所述第一电解质是所述至少一种金属M的阳离子形式，所述电解溶液进一步包含明胶。本发明还涉及能够通过所述方法获得的金属泡沫、涉及所述泡沫的用途和包含该泡沫的器件。

说明书

技术领域

本发明涉及合成低密度金属泡沫的方法，该类泡沫具有三维多孔微米结构。 要指出的是“微米结构”意思是其中组成元件，即：条带，具有包含在0.1μm-100 μm，或甚至包含在0.01μm-100μm的尺寸或长度的结构。

本发明还涉及多孔金属泡沫并且其中所述条带具有包含在这些相同范围的 尺寸或长度，所述金属泡沫能够通过此合成方法获得。

本发明还涉及该类金属泡沫的用途，特别是在催化剂和电子领域中的用途。

本发明最后涉及包含该类金属泡沫的器件，该类器件特别是能够由微电极 或微传感器构成。

背景技术

为了其在许多应用领域中，如催化、吸收剂和电子和/或在各种器件如传感 器、电池和用于存贮气体如氢气的装置中的用途，目前已做了许多工作以合成 低密度金属泡沫。

表述“低密度金属泡沫”意思是其中表观密度小于或等于相应金属的理论 密度的10％的金属泡沫。

该类金属泡沫由具有微米或甚至纳米三维多孔结构的金属材料构成。要指 出的是表述“纳米结构(nanometric structure)”或替代用的术语“纳米结构 (nanostructure)”意思是其中组成元件，即：条带，具有包含在1nm-100nm的尺 寸或长度的结构。

由于其微米结构，这些金属泡沫具有高的比表面，这赋予它们许多优点， 其中这提供了非常快速的电化学反应能力。由此可以考虑使用这些金属泡沫制 造气体微传感器和微电极，该类微电极能够特别是旨在用于电子工业中。

在能够合成金属泡沫的已知方法中，可以引述的是实施称为“高电流密度” 的电解的方法，在所述电解过程中电解溶液中存在的金属阳离子发生电解还原。 根据此方法，金属离子(1)的所述电解还原与伴随的水(2)的电解还原一起进行。 在阴极表面发生的相应的电解还原反应分别如下：

Mⁿ⁺+ne^-→M   (1)

其中M表示金属和n为整数。

水的电解还原在阴极表面产生由多个氢气气泡形成的气态释放，其将要充 当用于形成金属泡沫的间隙或孔的基质。由此观察到，在阴极表面，还原的金 属M以金属泡沫的形式沉积。事实上，此沉积物具有多孔结构，通过由电解质 中存在的水的还原形成的氢气泡保证了孔的形成。尽管如此，但是可以观察到 如通过以高电流密度的此电解还原方法获得的金属泡沫的孔不具有规则均匀的 大小，由于释放的氢气泡的聚结现象所以所述大小特别是随着金属泡沫的厚度 而增加。另外，沉积在阴极表面上的此金属泡沫的厚度限制在几百微米，也是 由于释放的氢气泡的此聚结现象。另外，观察到此金属泡沫非常易碎并且不可 处理且甚至不太成型。

C.Zhou等最近发表的一篇文章(“Nanoporous platinum grown on nickel foam  by facile plasma reduction with enhanced electro-catalytic performance”， Electrochemistry Communications,2012,18,33-36)，参考本说明书最后的[1]，描 述了合成金属泡沫的另一种方法，所述方法包括接触辉光放电电解的步骤。

接触辉光放电电解(CGDE)是在最近几年在几个研究领域中重感兴趣的方 法。

在K.Azumi等发表的文章中("Removal of oxide layer on SUS304using  high-voltage discharging polarization",Electrochimica Acta,2007,52,4463-4470), 参考[2]，作者描述了实施此CGDE法用于处理氧化的表面。

还可参考R.Wüthrich等2010发表的文章。("Building micro and nanosystems  with electrochemical discharges",Electrochimica Acta,2010,55,8189-8196)，参考 [3]，其综述了文献中描述的此CGDE法的应用。在这些应用中，特别可以引述 的是非导电材料的微加工、废水处理、表面处理和纳米颗粒的合成。特别地， 此文章[3]报告了合成镍、铜、铂或金的胶体纳米颗粒，或合成铂和金的混合胶 体纳米颗粒，以及镍、钛、银或金的胶体纳米珠。这些纳米颗粒或纳米珠被称 为“胶体的”，因为它们在电解溶液中为悬浮的。部分这些纳米颗粒据描述能够 得到位于几十纳米至几纳米范围的粒度。已经特别合成了具有包含在几纳米至 大约50nm的粒度的镍纳米颗粒以及具有包含在5nm-大约30nm的粒度的铜纳米 颗粒。尽管如此，但所述文章[3]并没有以任何方式描述纳米材料的合成并且甚 至更少描述金属泡沫。事实上，为了控制纳米颗粒的大小和为了避免在阴极上 形成金属沉积，此文章[3]教导使用旋转圆盘电极，使得可以保证得到纳米颗粒 的胶体溶液。在合成纳米珠的情况下，使用扫描电子显微镜观察阴极表面显示 存在相对分散的纳米球，其具有几百纳米的大小。

T.A.Kareem等2011年发表的文章(“Glow discharge plasma electrolysis for  nanoparticles synthesis”，Ionics,2012,18,315-327)，参考[4]，也综述了迄今为止 描述的合成胶体纳米颗粒的不同方法，并且特别是铜、铂或金的纳米颗粒以及 铂和金的混合纳米颗粒，这些纳米颗粒的大小位于30nm-400nm之间。

与文章[3]和[4]不同，文章[1]提出实施接触辉光放电电解法用于合成多孔金 属纳米材料而不是胶体金属纳米颗粒。更精确地，所述文章[1]描述了复合材料 的合成，包括纳米多孔铂泡沫通过在环境温度下进行的所述CGDE法在镍泡沫 基体上沉积。所述文章[1]中进行的该试验显示：电解溶液中铂Pt⁴⁺阳离子的浓 度越高，镍泡沫的表面被纳米多孔铂泡沫覆盖的越多并且所述孔的平均直径下 降越大，达到大约100nm的值。尽管如此，此文章[1]中提供的图像没有真正地 显示三维多孔微米结构的金属泡沫，术语“微米的”如上面所定义。另外，在 此文章[1]中没有表明所述纳米多孔铂泡沫可以从在其上面沉积的镍泡沫中分离 以便例如进行成型。

因此，本发明的目的是克服现有技术的缺点并提出合成低密度金属泡沫的 方法，所述金属泡沫具有三维的多孔微米结构或甚至是多孔的纳米结构，另外 与用高电流密度电解法得到的泡沫不同，所述结构遍及其厚度都是规则均匀的。

另外此方法必须使得可以得到具有一定厚度的金属泡沫，所述厚度有利地 为至少0.1mm，另外所述金属泡沫足够坚固以便使其能够特别是通过加工进行 处理，或者甚至补充的成型步骤，来赋予其例如与该金属泡沫可能的用途适合 的形式。

发明内容

首先通过合成至少一种金属M的金属泡沫的方法达到了上面提及的目的和 其它目的，所述金属泡沫具有三维多孔微米结构。

根据本发明，此方法包括接触辉光放电电解的步骤，所述电解是在于在电 解溶液中进行的电解等离子体还原，在所述电解溶液中浸有与连续电源相连的 阳极和阴极，所述电解溶液包含在溶剂中的至少一种第一电解质，所述第一电 解质是所述至少一种金属M的阳离子形式，所述电解溶液进一步包含明胶。

接触辉光放电电解(CGDE)法也称为“电解等离子体”电解法，是一种特 别的电解方法，其中已知作为“电解等离子体”的等离子体位于极化的电极和 其中浸有电极的电解溶液之间。

在围绕着极化的电极的气体离子化之后，此电解等离子体由称作“临界电 压”的电压形成，所述气体本身是在溶剂和发现在电解溶液中是离子化的一些 化合物的电解还原或电解氧化过程中预先形成的。

在本发明的范围内，在阴极表满形成气态包封形式的电解等离子体。电解 溶液中明胶的存在结合施加连续的电流使得可以在阴极周围保持和含有此气态 包封，并因此保持和含有电解等离子体。

如此，通过在阴极表面保持电解等离子体，明胶促进了来自在电解溶液中 以阳离子形式存在的金属M(Mⁿ⁺)的金属泡沫的生长。

更精确地，通过根据本发明的方法合成的金属泡沫由条带构成，所述条带 通过还原的金属离子萌发然后生长获得。事实上，所述条带相应于在接触辉光 放电电解过程中形成的微电弧留下的印迹。这些微电弧保证了一旦所述微电弧 与所述电解溶液接触，金属阳离子Mⁿ⁺就通过电子转移还原成金属M。明胶的 存在通过保持阴极周围的气态包封使得可以支持在通过所述气态包封形成的空 间中，即：在阴极和电解溶液之间包含的体积中形成所述微电弧。来自阴极表 面的这些微电弧增长至各个逐渐形成的金属条带的末端，由此导致合成的金属 泡沫膨胀，只要保持气态包封则这一情况继续。所述微电弧在形成的金属条带 末端的所述增长使得可以保证合成具有特别均匀的密度的金属泡沫和在遍及其 整个厚度上都是如此，同时预防了在金属泡沫的芯部的任何致密化。

由于根据本发明的合成方法，可以得到以非常低的表观密度，一般为小于 或等于10％，或者甚至小于或等于0.5％，和/或根据BET法测量的特别高的比 表面一般为大于或等于250m²/g为特征的金属泡沫。

要指出的是表述“表观密度”意思是由所考虑的金属泡沫的密度与相应的 金属M的密度相比所表示的百分比。类似的概念是“相对密度”，其表示金属泡 沫的密度与此相同的金属M的密度之间的比率。

另外，尽管具有非常低的表观密度，但是由根据本发明的方法合成的金属 泡沫保持了完美的可处理性。

另外，与文章[1]中描述的合成金属泡沫的方法不同，根据本发明的方法使 得可以获得显著的金属泡沫厚度，所述厚度为至少等于0.1mm，并优选大于或 等于0.5mm。

事实上，根据本发明的方法使得能够获得可以最多达几厘米的金属泡沫厚 度。

显然，特别是对于直接与所述金属泡沫随后的用途相连的原因和/或要求来 说，完全可以考虑进行具有0.1mm以下厚度的金属泡沫的沉积。

另外，根据本发明的合成方法使得可以直接在阴极表面上形成金属泡沫， 且不必如文章[1]中描述的合成方法的情况一样在镍泡沫基体上形成金属泡沫。 由此可以考虑直接获得至少一种金属M的金属泡沫，而不必凭借用金属泡沫基 体，例如如文章[1]中所教导的镍泡沫基体分离的补充步骤。

尽管如此，在本发明的范围内，没有任何方法防止用包含至少一种已经形 成的金属泡沫基体的阴极在其表面实施所述合成方法，所述金属泡沫基体例如 由除了所述金属M之外的金属制成。

也可以考虑连续沉积金属泡沫，从而形成金属泡沫的多层沉积，这些金属 泡沫能够由相同的金属M形成或者由至少两种不同的金属M₁和M₂形成。

要指出的是：“连续的电源”意思是输送连续电流，换言之就是连续的循环 电流的电源，且与交流电流或脉冲电流相反，所述电源在接触辉光放电电解法 过程中是不中断的。

另外，保持电解等离子体也使得可以保持基本恒定的电解还原条件，这有 利于获得在遍及其厚度上具有规则和均匀的结构的金属泡沫。

应当注意的是在文章[4]中已经偶然提及了在电解溶液中使用明胶，这涉及 O.Takai之前的文章(“Solution plasma processing(SPP)”，Pure Appl.Chem.,2008, 80(9),2003-2011)，参考[5]。

在此文章[5]中，事实上，在溶液法中通过等离子体已经由包含由HAuCl₄形成的水溶液作为电解质和KCl与明胶作为添加剂的电解溶液合成了10nm大 小的金的胶体纳米颗粒，所述溶液法在施加的2500V的电压和2μs的脉冲宽度 下进行。然而，此文章[5]中描述的溶液法中的等离子体不可与在根据本发明的 方法中进行的接触辉光放电电解法相比。事实上，与2μs的电解时间结合施加 2500V的高电压不能使得形成气态包封并由此形成电解等离子体，并且首先以 局部化的方式保持和包含在单个阴极周围，与其中实施连续电流的本发明的合 成方法中所发生的不同。

另外，文章[5]教导了：与明胶在电解等离子体中产生的作用不同，使用明 胶使得可以预防合成的金纳米颗粒聚集，如发明人已经证明的那样。这清楚地 表明：如果依然需要，根据本发明的合成方法可以清楚地与文章[5]描述的溶液 法中的等离子体区别开来。

总的来说，根据本发明的方法可以在环境温度下进行。但是也可以考虑在 所述环境温度以下或以上的其它温度下进行该方法。

在本发明的有利的变型方案中，合成金属泡沫的方法包含下面的连续步骤：

-将阳极和阴极引入电解溶液中，

-施加通过连续电源输送的大于或等于临界电压U_c的电压，以便围绕阴极至 少部分地形成电解等离子体，

-保持所述电压以便形成微电弧，所述微电弧将电解溶液中以阳离子形式存 在的金属M还原，以便在阴极表面上形成金属M的金属泡沫，

-从电解溶液中撤去所述阴极，和

-任选地收集在阴极表面上形成的金属M的金属泡沫。

根据本发明的方法由此使得可以在单一的步骤中相对容易地由电解溶液中 存在的金属M的阳离子合成金属M的金属泡沫。补充收集的第二步骤使得可以 分离由此在阴极表面上形成的金属泡沫。

测定用于给定的电解溶液的临界电压(记为U_c)是通过确立作为施加电压(记 为U(以V表示))的函数测量的强度曲线(记为I(以A表示))进行，如下文详细 描述，特别是在标题为“电解等离子体电解法的示范说明(Demonstration of the  electrolysis method by electrolytic plasma)”和“明胶对作为施加电压的函数的强 度曲线的影响(Effects of gelatine on the curve of the intensity as a function of the  applied electric voltage)”的章节中，分别参考图2和13。

根据本发明一个特定的实施方案，施加电压位于其中强度作为所述电压的 函数基本上恒定不变的电压范围内。

在其中电流是稳定的此特定的电压范围内，所述电解等离子体完全地围绕 阴极形成。由此，在所述电压范围内实施根据本发明的方法使得可以实现所述 金属泡沫的多孔微米结构非常良好的重现性。

根据本发明一个特别有利的变型方案，在切断电压之前将所述阴极由所述 电解溶液中撤出。

事实上，在保持在电压下的同时由所述电解溶液中撤出阴极使得可以获得 不仅干燥而且另外还完全保存了其完整性的金属泡沫。

根据另一个有利的变型方案，根据本发明的方法可以进一步包含至少一个 或多个单独地或组合的补充步骤。

特别地，根据本发明的方法可以包含下面补充步骤中的至少一个：

-搅拌所述电解溶液，

-至少当所述阴极放置在电解溶液中时旋转阴极。

搅拌所述电解溶液能够使所述电解溶液中存在的离子种类均匀地混合，由 此使得可以保持金属阳离子Mⁿ⁺在紧靠气态包封中存在，并因此所述阳离子以条 带形式还原。特别可以使用旋转磁力搅拌棒进行此搅拌，例如通过磁力搅拌器 或磁力搅拌棒保证所述旋转。

特别可以通过将所述阴极连接到旋转马达上保证阴极的旋转。

在应用过程中接着在保持电压的过程中旋转阴极使得可以在所述阴极表面 形成完全均匀且规则厚度的金属泡沫，而且可以变化所述金属泡沫的形式和表 观密度或相对密度。

事实上，旋转阴极使得可以进一步将所述金属泡沫的表观密度降低至可以 大约为0.2％的表观密度值，另外，所述金属泡沫保持完美的可处理性。特别地， 可以合成同时具有大约0.2％的表观密度和/或大约500m²/g的BET比表面的金 属泡沫。

虽然发生电解溶液中旋转阴极所固有的表观密度的所述降低，但是条带形 式的结构，特别是具有包含在0.1μm-100μm，或者甚至包含在0.01μm-100μm 之间的尺寸或长度的条带，没有降解。

重要的是要注意所述阴极可以旋转到最大5000rpm的角速度，而没有合成 的金属泡沫降解的风险，后者通过环绕它的气态包封在某些程度上得以保护。

根据本发明的一个实施方案，在电极施加电压的值包含在10V-100V之间， 有利地在15V-50V之间，并优选在20V-30V之间。

要指出的是刚刚引述的和在本发明中使用的表述“包含在……之间”应当 理解为不仅定义了范围的值，而且定义了所述范围的边界值。

根据本发明的另一个实施方案，在电极施加的电压的值保持的持续时间包 含在5秒-5分钟之间，有利地在10秒-2分钟之间，并优选在20秒-60秒之间。

根据本发明的另一个实施方案，所述合成金属泡沫的方法进一步包含使收 集的金属泡沫成型的步骤。

此成型步骤特别可以是加工在根据本发明的合成方法结束时收集的金属泡 沫。

也可考虑此成型步骤为电铸。由此，金属泡沫的生长在阴极上进行，所述 阴极具有相应于所希望给予所述金属泡沫的形状的形状。

没有什么妨碍考虑通过电铸进行此成型接着并通过加工成型来完成。

如前面所表明，所述电解溶液包含明胶。

重要的是要注意：通过明胶的存在甚至在电解溶液中非常低的明胶浓度下 也获得了赋予电解等离子体和更一般来说赋予所述合成的金属泡沫的作用。

有利地，电解溶液中的此明胶浓度小于或等于200g/l，有利地包含在1 g/l-100g/l之间，优选包含在5g/l-50g/l之间且甚至更优选包含在10g/l-25g/l 之间。

明显地，电解溶液中的明胶浓度意思是电解溶液中和在实施接触辉光放电 电解之前溶解的明胶浓度。

可以指出有利的是以粉末形式将明胶引入到电解溶液中。为了保证明胶在 电解溶液中的完全溶解，可以证明有必要加热所述电解溶液。

根据本发明另一个实施方案，电解溶液中存在的第一电解质是金属盐，其 中阳离子形式的金属M与至少一种阴离子结合，和如果需要的话，与一种或多 种阳离子结合以形成例如双金属盐或三金属盐。

有利地，此金属盐包含金属M的至少一种选自硫酸根SO₄^2-、硝酸根NO₃^-、 卤离子X^-(如Cl^-、Br^-或I^-)、氰离子CN^-和氢氧根OH^-的元素。

根据本发明的一个实施方案，所述第一电解质在电解溶液中的浓度小于或 等于所述第一电解质在溶剂中的溶解度。

由此，发现第一电解质在电解溶液中整体溶解。

如前面对于明胶浓度所述，电解溶液中的第一电解质浓度意思是电解溶液 中和在实施接触辉光放电电解之前溶解的所述第一电解质浓度。

有利地，第一电解质的所述浓度包含在0.1mol/l-2mol/l之间和有利地包含 在0.2mol/l-1mol/l之间。

根据本发明的另一实施方案，所述电解溶液的溶剂是水并优选为去矿物质 水。

然而也可以考虑使用其它溶剂，这些溶剂能够不含水。

由此特别可以考虑使用有机溶剂，如醇、醚、烃，特别是芳烃如苯或甲苯。

也可以使用溶剂如熔融的盐。在这样的前提下，所述合成方法将不是在环 境温度下进行，而是在与在熔融的盐介质中的电解方法适合的电解溶液温度下 进行。

根据本发明的另一实施方案，所述电解溶液进一步包含至少一种第二电解 质。

对所述第二电解质进行选择使得能够提高所述电解溶液的电导率。

根据本发明的一个变型方案，所述第二电解质是强电解质，其具有在电解 溶液的溶剂中完全或实际上完全解离或离子化的优点。

电解溶液中存在的所述第二电解质有利地选自盐、酸和碱。

在盐中，特别可以提到氯化钠NaCl或氯化钾KCl。

在酸中，特别可以提到硫酸H₂SO₄。

在碱中，特别可以提到氢氧化钠或苏打NaOH。

根据本发明的一个实施方案，所述第二电解质在电解溶液中的浓度小于或 等于所述第二电解质在溶剂中的溶解度。

由此，发现第二电解质在电解溶液中整体溶解。

如前面对于明胶浓度所述，电解溶液中的第二电解质浓度意思是电解溶液 中和在实施接触辉光放电电解之前溶解的所述第二电解质的浓度。

有利地，第二电解质的所述浓度包含在0.1mol/l-18mol/l之间和有利地包含 在0.5mol/l-10mol/l之间。

在根据本发明的合成方法中，除了阴极和阳极必须定位从而连续的电流循 环不能中断之外，就电极的放置方面没有特别的要求。顺便要注意文章[5]具有 0.3mm的非常有限的电极间隙。

在根据本发明的一个有利的实施方案中，阴极由具有至少1500℃的高熔融 温度的材料制成。特别可以考虑使用由不锈钢、钽或钨制成的阴极。

在根据本发明的一个有利的实施方案中，特别是当考虑金属泡沫通过电铸 成型时，阴极旋转。

在根据本发明的一个有利的实施方案中，阳极由惰性金属制成。由此，作 为与电解溶液中存在的一些化合物发生氧化反应的位置的阳极在所述电解等离 子体电解法过程中不溶解。

该类阳极特别可以由铂制成。

在根据本发明的另一个有利的实施方案中，阳极由金属M制成。则其称为 “可溶性阳极”，因为在CGDE法过程中其被消耗。

由此，根据下面的电解氧化反应(3)，在接触辉光放电电解过程中在由金属 M制成的可溶性阳极上发生的电解氧化作用下和如果需要的话，在电解溶液中 存在第二电解质(强电解质)时其腐蚀作用下，所述另外还包含刚刚来自第一电解 质解离的金属阳离子Mⁿ⁺的电解溶液变得富含金属阳离子Mⁿ⁺：

M→Mⁿ⁺+ne^-   (3)

显然对金属M进行选择以便能够通过在电解溶液中实施的电解进行还原。

在根据本发明的一个有利的实施方案中，金属M包含至少一种选自过渡金 属和贫金属的元素。

由此，金属M可以由单种金属组成，无论是过渡金属或者贫金属。但是也 可以包含两种金属或者甚至更多种，由此形成金属合金。

在过渡金属中，特别可以提到的是第10和11栏的过渡金属，如镍、钯、 铂、铜、银和金。

在贫金属中，特别可以提到锡。

有利地，金属M包含至少一种选自镍、铜、银、锡、铂和金的元素。

对于合成铜泡沫，特别可以考虑使用硫酸铜，例如水合硫酸铜CuSO₄,5H₂O 作为第一电解质。也可以考虑使用双金属盐如氰化亚铜钾Cu(CN)₂K。对于合成 金泡沫，可以考虑使用化合物HAuCl₄，如文章[5]中所描述。

实施根据本发明的方法使得可以获得在阴极表面形成的金属M的金属泡 沫，其有利地具有下面特征中的一种和/或其它的：

-厚度包含在0.1mm-10mm之间，有利地在0.3mm-5mm之间和优选地在 0.5mm-2mm之间，

-表观密度ρ小于或等于相应的金属M的理论密度的10％，有利地包含在 1％-8％之间并优选地包含在1.5％-5％之间。

特别地，如果其中M＝Cu，根据本发明的方法使得可以获得铜泡沫，其表观 密度ρ小于或等于1g/cm³，有利地包含在0.10g/cm³-0.80g/cm³并优选包含在 0.15g/cm³-0.50g/cm³。

次之，本发明涉及至少一种金属M的金属泡沫，其具有多孔微米结构，换 言之就是多孔结构并且其中构成元素，在所述特定的情况下即条带，具有包含 在0.1μm-100μm之间，或者甚至包含在0.01μm-100μm之间的尺寸或长度。

根据本发明，所述金属泡沫能够通过实施上面已经定义的合成方法而获得。

更特别地，所述金属泡沫能够通过包含接触辉光放电电解的步骤的方法获 得，所述电解是在于在电解溶液中进行的电解等离子体的还原，在所述电解溶 液中浸有与连续电源相连的阳极和阴极，所述电解溶液包含在溶剂中的至少一 种第一电解质，所述第一电解质是所述至少一种金属M的阳离子形式，所述电 解溶液进一步包含明胶。

对于使得可以合成所述金属泡沫的所述方法的其它有利特征，参考前面所 定义的内容。

根据本发明的该类金属泡沫可以从结构上与通过文章[1]中描述的方法获得 的纳米多孔铂的沉积区别开来。事实上，如文章[1]中所示，纳米多孔铂的沉积 由来自于阳离子Pt⁴⁺的还原且具有均匀的粒度分布的铂纳米颗粒的堆叠形成。另 外在同一篇文章[1]的图像中可以观察到的所述叠层产生纳米多孔网络，其特征 在于可以非常清楚地与根据本发明的金属泡沫结构区别开来的结构，本发明的 金属泡沫结构由条带构成。

如前面所提及，根据本发明的金属泡沫特征在于：非常低的表观密度，一 般为小于或等于10％，或者甚至小于或等于0.5％，和/或根据BET法测量的特 别高的比表面，一般为大于或等于250m²/g。

第三，本发明涉及如上面所定义的至少一种金属M的具有多孔微米结构的 金属泡沫的用途。

根据本发明，此金属泡沫有利地用于催化、珠宝、吸收剂、电池、新形式 能源或电子领域中。

在珠宝领域中，由此可以制造由金属泡沫制成的珠宝饰品(例如金珠宝饰品， 特别是24k的)或在珠宝饰品上进行镀敷以增加其耐磨性。

第四，本发明涉及包含如上面所定义的至少一种金属M的具有多孔微米结 构的金属泡沫的器件。

根据本发明，所述器件特别可以是微电极、微传感器，特别是气体微传感 器、电池或存贮器件，特别是气体存贮器件。

本发明的其它特征和优点在阅读下面的说明书的补充内容时将变得更清 楚，其涉及合成不同的金属泡沫，在此特定的情况下是铜泡沫，并涉及研究不 同参数的影响并特别是明胶对于金属泡沫的形式、体积和结构的影响，对作为 电压的函数的强度曲线I＝f(U)的影响和对铜还原的影响。

要指出：此详细的说明书，特别参考附图1-20，仅仅说明性给出了本发明 的主题，任何情况下并不构成对所述主题的限制。

特别地，下面详述的合成铜泡沫的方法显然可以转换为合成除了铜之外的 一种或多种金属的泡沫。

附图说明

图1是试验过程中使用的实验装置的示意性表示。

图2表示如实验得到的作为施加电压(记为U(以V表示))的函数测量的强度 (记为I(以A表示))曲线。

图3相应于如在施加10V的电压过程中通过常规电解得到的铜在阴极上的 沉积物的图像。

图4相应于如在施加25V的电压过程中通过接触辉光放电电解得到的铜在 阴极上的沉积物的图像。

图5表示如实验得到的作为施加电压(记为U(以V表示))的函数的温度(记为 T(以℃表示))的曲线，这些温度在代替图1中表示的实验装置的阴极的热电偶表 面测量。

图6A-6D示意性表示通过接触辉光放电电解合成铜泡沫遵循的操作规程的 连续步骤。

图7相应于如在图6A-6D中说明的操作规程结束时得到的铜泡沫的图像。

图8A和8B相应于图7的铜泡沫的显微图像，其中图8A使用双目放大镜 观察和图8B使用扫描电子显微镜(SEM)观察。

图9A和9B相应于图7的所述相同铜泡沫使用扫描电子显微镜(SEM)所取 的图像，图9A相应于泡沫的内部而图9B相应于泡沫的外部。

图10A和10B相应于在实施电解等离子体电解方法之后在阴极表面合成的 铜泡沫的图像。

图11表示作为所考虑的电解溶液的明胶浓度(记为[明胶]，(以g/l表示))的 函数的保持气态包封的时间(记为t(以秒表示))的曲线。

图12A和12B相应于在实施电解等离子体电解方法分别持续45和60秒之 后在阴极表面合成的铜泡沫的图像。

图13表示在电解等离子体电解法中用电解溶液A-E得到的作为施加电压 (记为U(以V表示))的函数测量的强度(记为I(以A表示))的曲线。

图14表示电解等离子体在30V的施加电压下实施10秒时间过程中，作为 所考虑的电解溶液中的明胶浓度(记为[明胶](以g/l表示))的函数测量的阴极效率 (记为R，(以％表示))的曲线。

图15都是使用扫描电子显微镜(SEM)在不同放大率率所取的铜泡沫的图 像，所述铜泡沫是通过电解溶液A-E在电解等离子体电解法中在25V的施加电 压下进行10秒的时间合成的。

图16相应于金属泡沫的能量分散分析谱图，所述金属泡沫是通过电解溶液 A-E在电解等离子体电解法中在25V的施加电压下进行10秒的时间合成的。

图17A和17B都是通过显微镜和通过扫描电子显微镜(SEM)所取的金属泡 沫的图像，所述金属泡沫是通过电解溶液E在电解等离子体电解法中在25V(图 17A)和35V(图17B)的施加电压下进行10秒的时间合成的。

图18A、18B和18C相应于使用显微镜所取的记为MM1、MM2和MM3 的三种金属泡沫的图像，所述金属泡沫是通过电解溶液A-E在根据本发明的电 解等离子体电解法中在25V的施加电压下进行15秒的时间合成的。

图19相应于通过显微镜所取的记为MM5的金属泡沫的图像，所述金属泡 沫是通过保持在搅拌下的电解溶液E在根据本发明的电解等离子体电解法中在 25V的施加电压下进行15秒的时间合成的，另外旋转所述阴极。

图20相应于通过显微镜所取的在加工之后圆柱形式的图19的金属泡沫 MM5的图像。

具体实施方式

实验装置

在图1中，示意地表示了在已经进行的试验过程中使用的实验装置10。

此实验装置10包含放置在磁力搅拌器14上的容量为500ml的烧杯12。所 述烧杯12装有电解溶液16，两个电极，即：阳极18和阴极20浸入在所述电解 溶液中。阳极18和阴极20分别与连续电源22的正极和负极相连，这样使得可 以施加最大35V的电压。在阳极18和阴极20之间还串联设置有库仑计(未示出)。 所述库仑计使得可以测量在接触辉光放电电解过程中参与的电荷的量。电荷耦 合器件(CCD)相机(未示出)，其配有设置在烧杯12中的物镜，使得可以实时可见 阴极20上金属泡沫的形成。

阳极18由10cm长、5cm宽和0.2mm厚的铜条形成，而阴极20由钨丝构 成，其直径包含在0.4-1mm之间。

电解溶液16包含至少一种在溶剂中的第一电解质，所述第一电解质是金属 M的阳离子形式Mⁿ⁺。电解溶液16进一步包含由强电解质构成的第二电解质。

在进行试验期间，电解溶液16由硫酸铜的水溶液在25℃的温度下形成，其 包含：

-64g/l硫酸铜CuSO₄，5H₂O作为第一电解质，

-80ml/l的98％硫酸H₂SO₄作为第二电解质，和

-去矿物质水作为溶剂。

电解溶液16还包含明胶，在此特定的情况下为明胶(CAS 9000708)，其浓度 在0g/l(此时所述溶液相应于参考电解溶液)至25g/l之间变化。

硫酸铜是将在阴极20上还原的产生铜离子Cu²⁺的盐，如下文可见。特别是 由于存在第二强电解质，在此特定情况下是硫酸，所以所述硫酸铜在电解溶液 16中是完全离子化的。所述硫酸的存在使得可以保证电解溶液16良好的电导率 且另外有利于铜阳极18的腐蚀。

如果需要的话，可以通过设置在烧杯12内部的磁力棒26保证电解溶液16 的搅拌。

同样地，如果需要的话，可以使用阴极20与之连接的旋转马达28保证阴 极20旋转。

电解等离子体电解法的示范说明

将回忆接触辉光放电电解(CGDE)法，也称为“电解等离子体”电解法， 是一种特别的电解方法，其中称为“电解等离子体”的等离子体位于极化的电 极和其中浸有电极的电解溶液之间。

在围绕着极化的电极的气体离子化之后，此电解等离子体由称作“临界电 压”和记为U_c的电压形成，所述气体本身是在溶剂与在电解溶液中是离子化的 一些化合物的电解还原或氧化过程中预先形成的。

在此特定的情况下且由下文可见，位于阴极20与电解溶液16之间的电解 等离子体在围绕阴极20的氢气H₂离子化之后形成，所述氢气本身在电解溶液 16中存在的质子H⁺电解还原过程中形成。

所述接触辉光放电或电解等离子体电解法可以通过确定强度I作为施加电 压U的函数，I＝f(U)的测量值来证明。

由此，图2说明了作为在阴极20上施加的以伏特(V)表示的电压U的函数 的以安培(A)表示的强度I的曲线，是通过上面描述的装置10在25℃的温度下 且明胶不存在时，通过上述硫酸铜水溶液形成的电解溶液16实验地得到的，此 溶液相应于电解溶液A，如后面可见。

在所述图2中，观察到此曲线可以分成三部分，分别命名为I、II和III，这 些部分各自相应于单独的方法。

命名为I的所述曲线的第一部分相应于常规的电解方法(在此特定的情况下 是指阴极还原)，换言之相应于符合欧姆定律的纯的电解方法，其中强度作为施 加电压的函数增加，并如此最高至25V的称为“临界电压”和记为U_c的电压值。 在0-25V的所述电压范围内，浸入的阴极20的表面保持恒定地为电解溶液16 所润湿并且为铜的还原反应(4)的位置。对于最高的电压，铜的所述还原反应(4) 伴随着通过以在临界电压U_c附近聚结的气泡形式释放出氢气的水的还原反应 (5)。

相应的电解还原反应如下：

Cu²⁺+2e^-→Cu   (4)

在此常规的电解方法过程中，在阴极20表面，形成铜的沉积物，随着施加 电压增加具有越来越多的结节和越来越多的粉末状外观。图3给出了该结节和 粉末状沉积物的说明，其相应于相此阴极20施加10V电压的过程中在阴极20 表面得到的铜沉积物的图像。

强度作为施加电压的函数由临界电压U_c急剧地下降并且如此直到电压值最 大为30V，从所述值强度稳定下来。

从25V到30V的此电压范围相应于曲线的第二部分，命名为II。作为施加 电压的函数的强度下降是气态包封，也称为“电解等离子体”在阴极20周围形 成接着生长的结果。在所述部分II中，接触辉光放电电解法开始确立。由于此 气态包封的电导率比电解溶液16的电导率低，所以强度下降。

由相应于曲线的命名为III的第三部分的30V的电压值，气态包封完全形成 并由电解溶液16中分离出阴极20。在所述部分III中，强度和接触辉光放电电 解法是稳定的。此时测量的强度相应于产生的放电，所述放电也称为“微电弧” 或“微电火花”。

在所述接触辉光放电电解方法过程中，在阴极20表面，形成纠缠的多个条 带形式的铜的沉积物。金属条带的所述排布类似于被称为“金属泡沫”的泡沫。 图4给出了通过多个条带状铜的沉积形成的所述金属泡沫的说明，其相应于向 此阴极20施加25V电压的过程中，在阴极20上得到的铜的沉积物的图像。

已经描述的接触辉光放电或电解等离子体电解法的证明另外还可以通过测 量作为施加到此阴极20上的电压的函数的阴极20表面的温度来确认。

如此，上面描述的实验装置10被改变。所示阴极20被金属热电偶代替， 在其尖端形成电解等离子体。在施加由10V到30V变化的电压的过程中，通过 热电偶注意到的温度测量报告在图5中表示的曲线上。要指出的是进行的所述 测量具有+/-10℃的误差。

如图5中所示的所述曲线表明：通过热电偶测量的温度，所述温度相应于 阴极20表面的温度，从30V的施加电压急剧增加。此温度相应于完全形成气态 包封或“电解离子体”的温度。对于35V的电压，测量的温度达到180℃。在 文献中，所述180℃的温度命名为此类电解等离子体的“标准温度”，另外也称 为“冷等离子体”。

不同的铜泡沫的合成

电解溶液

制备了不同的电解溶液，标记为A-E。这些电解溶液的组成详细描述于下表 1中。

这些溶液A-E是用去矿物质水作为溶剂制备的水溶液。将使用的带有登记 号CAS 9000708的明胶以粉末形式引入到所述混合物中。将所述混合物加热到 60℃的温度以便能够使明胶在各个电解溶液B-E中完全溶解。

电解溶液 A B C D E 硫酸铜(g/l) 64 64 64 64 64 硫酸(ml/l) 80 80 80 80 80 明胶(g/l) 0 1 5 10 25

表1

这些电解溶液A-E将被连续引入到前面描述的用于实施接触辉光放电电解 法的实验装置10的烧杯12中。

现在将描述用于实施所述电解等离子体电解法遵循的操作规程。

操纵规程

下面将要详细描述的操作规程与电解溶液16的实施相关地进行描述，所述 电解溶液16的组成相应于上面表1中详细描述的电解溶液A的组成。不含明胶 的此电解溶液A由此相应于如文章[1]所教导的参考电解溶液。尽管如此还要指 出的是：此操作规程完全可以转用于通过电解溶液B-E实施根据本发明的合成 金属泡沫的方法。

如前面可见，由施加临界电压U_c，在本发明的情况下为25V，在阴极周围 发生气态包封或电解等离子体的形成和生长。

可以参考图6A-6D，所述附图示意地说明了合成铜金属泡沫遵循的操作规 程的连续步骤。

如图6A中所示，实验装置10的阳极18和阴极20浸在电解溶液16中。阳 极18与电源22的正极相连和对于阴极20来说其与此电源22的负极相连。如 图6A中所示，电源22在所述精确的时刻不传输任何电压(U＝0V)。

要指出的是：除非另外明确地说明，下面的试验在不搅拌电解溶液16且不 旋转阴极20的条件下进行。

然后将电源22调节到包含在25V-35V之间的电压，接着启动以保证电解等 离子体24的形成和生长(图6B)。在图6B和6C中说明的情况下，通过电源22 输送的电压设定在U＝25V。

一旦施加25V的电压，电解等离子体24就在阴极20周围形成，接着生长。 微电弧从阴极20朝向位于电解等离子体24与电解溶液16之间的界面的表面形 成并放出。由于这些微电弧是由负电荷组成的，所以电解溶液16中存在的铜阳 离子Cu²⁺根据上面提到的电解还原反应(4)在各个微电弧末端被还原。铜阳离子 Cu²⁺的所述还原作用在阴极20的表面产生铜泡沫30，所述泡沫由纠缠的多个铜 条带组成，所述条带表示在接触辉光放电电解(CGDE)或电解等离子体电解法过 程中形成的微电弧为“负性的”。图6B和6C中说明了所述金属泡沫30的形成 和生长。只要保持电解等离子体24，则所述金属泡沫30的生长继续。

在电源22作用10秒左右之后，由电解溶液16(在此特定的情况下为电解溶 液A)中撤去阴极20，但是保持在施加的25V电压下。事实上，为了保全阴极 20表面上形成的铜金属泡沫30的完整性，优选在阴极20从电解溶液16中取出 之后切断通过电源22输送的电压，如图6D中所示。在所述条件下，在阴极20 表面形成的金属泡沫30是完全干燥的。尽管所述铜泡沫30相对易碎，但是其 具有足够的机械强度使得可以通过使用小刷子推动使其从阴极20上脱离。

通过电解溶液A由此得到的铜金属泡沫30的图像报告在图7中。在所述图 7中，可以观察到所述铜泡沫30具有由在电解等离子体电解法过程中形成的许 多铜条带纠缠产生的泡状结构。

为了确认金属泡沫30的空间排布，拍摄了所述金属泡沫30的显微图像。 图8A是使用双目放大镜观察得到的图像，而图8B是使用扫描电子显微镜(SEM) 观察得到的图像。可以观察到铜条带非常细，具有大约微米的尺寸，它们具有 熔融的外观，所述外观通常对于通过实施常规的电解法得到的结构是不常见的， 如图3中所示。

参考图9A和9B，其相应于使用扫描电子显微镜(SEM)拍摄的图像，分别为 金属泡沫30的内部和外部，可以注意到所述铜金属泡沫30在其芯部和在其边 缘都具有纳米结构，这从结构和密度来说都是相同的。因此，孔隙率在遍及通 过实施所述电解等离子体电解法得到的金属泡沫30的厚度上都是恒定不变的。

进行的试验和得到的结果

使用上面表1的电解溶液B-E复制前面描述的操作规程。

明胶对金属泡沫的形式和体积的影响

如已经看出的，用电解溶液A得到的金属泡沫遍及其厚度都具有多孔的微 米级均匀的结构。然而，如在图4和7的图像中可以看出的那样，依然存在的 事实是用电解溶液A合成的金属泡沫具有系统地不规则的一般形式。

相反，对于由电解溶液B-E合成的金属泡沫来说其不仅具有在遍及其厚度 的多孔的微米级均匀的结构这些相同的特征，而且具有特别规则的一般形式。

为了可见存在于一般形式的合成金属泡沫中的重要差异，可以参考图10A 和10B。

所述图10A和10B相应于在相同的操作条件下，即：在25V的电压下保持 5秒钟实施电解等离子体电解方法之后在阴极表面得到的铜泡沫的图像。更精确 地，图10A的图像相应于通过实施电解溶液A得到的铜泡沫，而图10B的图像 相应于通过实施电解溶液E得到的铜泡沫。

由图10A和10B这两张图像的比较清楚地看出：与图10A的图像的金属泡 沫不同，根据本发明的方法合成的一般形式的金属泡沫是规则的(图10B)并且没 有易碎区或断裂区。

另外，还如上述所示，由电解溶液A合成的金属泡沫相对易碎。尽管可以 通过使用小刷子巧妙地处理在其形成的表面从阴极分离，但是绝对不能设想使 所述金属泡沫经历随后例如通过加工成型的步骤。所述易碎性特别与其总的不 规则形式相连，如在图10A的图像中清楚可见。

作为通过实施电解溶液A得到的金属泡沫的特征，所述形式的不规则性由 在接触辉光放电电解法过程中，更特别地，在金属泡沫生长过程中，气态包封(或 电解等离子体)的变形引起。事实上，使用CCD相机观察在接触辉光放电电解过 程中阴极20的水平上发生的现象显示金属泡沫的形成在十秒左右迅速地以相当 剧烈的方式发生：气态包封看起来没有足够的稳健性来承受由此金属泡沫生长 产生的力并且因此不能在阴极20周围保全规则的形式。甚至观察到在15秒之 后，所述气态包封断裂，由此导致电解等离子体中断及形成的金属泡沫总体破 坏。

如此要注意的是如文章[1]所教导通过接触辉光放电电解合成金属泡沫没有 使得可以得到具有规则形式的泡沫而且就得到的金属泡沫的体积来说也受到了 限制。事实上，在不使用明胶的情况下，考虑到如果电解等离子体的持续时间 超过15秒此金属泡沫的破坏，能够得到的金属泡沫的厚度为最多大约0.5mm。

相反，实施包含明胶的电解溶液使得可以得到气态包封如CCD相机图像显 示，所述气态包封在金属泡沫的生长过程中在阴极周围保持均匀，并且如此进 行明显长于15秒的时间。

图11清楚地说明了此现象。在此图11中报告了最后发生气态包封破裂的时 间，所述气态包封是在25V电压下发生的电解等离子体电解法过程中形成的， 为实施的电解溶液A-E的明胶浓度的函数。

如图11所示，电解溶液中明胶的浓度越高，气态包封的耐受性越大，并因 此保持电解等离子体的时间越长。

如由前面可以看出，如果在实施电解溶液A的情况下所述电解等离子体在 15秒结束时中断，则在电解溶液B中仅1g/l的明胶浓度的情况下此电解等离子 体可以保持两分钟的时间，或者在明胶浓度为10g/l和25g/l的情况下(电解溶 液D和E)甚至达到4分钟。

尽管如此不是必须保持电解等离子体超过1分钟的时间以得到足够体积的 金属泡沫。事实上，也能够电解溶液B-E实施仅45秒的电解等离子体之后在阴 极表面得到具有大约3-4mm的厚度的金属泡沫沉积物，，所述厚度远在用不含明 胶的电解溶液可以得到的金属泡沫沉积物的厚度以上。

事实上，超过1分钟，金属泡沫采取更加不规则的一般形式，如图12B的 图像所示。

图12A和12B相应于在根据本发明的方法中实施电解溶液E之后在阴极表 面得到的铜泡沫的图像。在25V电压下产生的电解等离子体在图12A的情况下 保持45秒，在图12B的情况下保持60秒。

明胶对作为施加电压的函数的强度的曲线的影响

为了评价明胶对作为施加电压的函数的强度的曲线的影响，参考图13。

所述图13表示如在电解等离子体电解法中在25℃的温度下用电解溶液A-E 得到的作为施加电压(记为U(以V表示))的函数测量的强度(记为I(以A表示)) 的曲线。

观察到：明胶浓度越高，在曲线的第一部分(欧姆部分)中测量的强度越低， 所述强度相应于临界电压U_c以下的电压并且为在常规电解下的强度。事实上， 电解溶液中的明胶浓度越高，其电阻越大。所述电阻的增加限制了电子转移并 因此限制了在电化学反应过程中交换的电荷的量。

还可观察到：在实施包含明胶的电解溶液B、D和E的情况下气态包封在 阴极周围开始形成的临界电压U_c的值达到20V的值，所述电压值在实施不含明 胶的电解溶液A的情况下为25V。

将回忆当气态包封在阴极周围完全形成时接触辉光放电电解稳定化，在其 中施加电压值位于强度作为所述电压的函数基本恒定不变的电压范围内的时候 发生所述稳定化。

另外还观察到：当所述电解溶液包含明胶时所述接触辉光放电电解在更低 的电压值下稳定化，并且特别地，在实施电解溶液C、D和E时从25V的值稳 定化。

发明人不受下面的束缚，保持解释上述观察的前提是明胶能够使得可以在 阴极表面更好地含有通过从电解溶液中含有的质子的电解还原释放出氢气形成 的气态包封，同时降低了所述气态包封在所述电解溶液中的溶解度。这样，当 所述电解溶液包含明胶时，在比所述电解溶液不含明胶时更低的电压下完全产 生气态包封并由此能够使气体离子化和由此在同样更低的电压下完全形成电解 等离子体。

最后可以指出的是图13显示：无论电解溶液中的明胶浓度如何，在相应于 接触辉光放电电解法的稳定化的曲线的第三部分中测量的强度值是恒定不变的 并大约为0.5A，如不包含明胶的电解溶液的情况。这反映的事实是电解等离子 体内的电荷的量为恒定不变。

明胶对铜还原的影响

为了测定明胶对铜还原的影响，已经测定了阴极效率R，根据下面式(6)定 义为有效地沉积在阴极上的铜的质量(记为m_沉积的Cu)和如果使用在电解等离子体 电解法过程中参与的电荷的总数用于铜的电解还原在所述阴极上应当沉积的铜 的理论质量(记为m_理论的Cu)之间的比率：

计算在30V的施加电压下各自用电解溶液B-E进行10秒钟进行的电解等离 子体电解法的实施结束时获得的每个金属泡沫的阴极效率R。

为了测定铜的理论质量m_理论的Cu，使用法拉第第一定律，该定律假设还原1 克当量的金属需要96485C，其中克当量是所述金属的质量数与还原所述金属的 一个原子交换的电子数之间的比率。作为通过电路流动的电量的函数的铜的理 论质量m_理论的Cu通过下面式(7)给出：

其中：

Q＝测量的电量(以C表示)

F＝法拉第常数，即：96485C/mol

M＝铜的质量数(以g/mol表示)，即：63.546g/mol

n＝在如上面描述的铜的电解还原(4)过程中参与的电子数，即：n＝2。

通过使用EGG PARC型库仑计进行的电量测量来测定电解等离子体电解法 过程中参与的电荷的总量，所述电荷总量相应于电流的量，记为Q。

在下表3中，报告了如下的值：

-在试验结束时测量的沉积的铜的质量m_沉积的Cu(以g表示)，

-在试验期间产生的整个电解等离子体的过程中测量的电荷的量Q(以C表 示)，

-通过应用上面提到的式(7)计算的理论的铜的质量m_理论的Cu(以g表示)，和

-通过应用上面提到的式(6)计算的阴极效率R(以％表示)。

表3

附图14表示相应于作为所述电解溶液B至E的明胶浓度(记为[明胶])的函 数由此计算的阴极效率R的曲线。

可以注意的是此阴极效率R随着电解溶液中明胶浓度增加。如此，对于相 当的电量Q来说，用于铜阳离子Cu²⁺电解还原的电荷的比例随着电解溶液中的 明胶浓度增加直到明胶浓度趋向于停止在大约10g/l。

尽管前面已经显示明胶浓度的增加造成电解溶液电阻的增加，所述电阻由 此理论上变得不太有利于阳离子Cu²⁺的电解还原，但是图14的曲线的形态倾向 于证明作为所述明胶浓度的函数的阴极效率R的增加直接与气态包封或电解等 离子体中的电密度增加相连。这样，明胶浓度增加越多，在阴极产生的气态包 封在电解溶液中溶解越少。在这些条件下，气态包封内部的气体压力增加，导 致更具活力的电解等离子体，从而具有更高的电密度。

明胶对金属泡沫的结构的影响

由实施电解溶液B-E用电解等离子体电解法在25V的施加电压下进行10 秒钟得到不同的金属泡沫。

为了表征每一种这些金属泡沫，已经使用扫描电子显微镜(SEM)(标为ESM  LMTDIMEB002)在不同放大率(x2000，x10000和x70000)拍摄了它们的图像。

如图15的图像所示，电解溶液中明胶浓度的增加使得可以精制所述金属泡 沫的结构。

作为示例性说明，观察到用包含1g/l明胶的电解溶液B获得的金属泡沫， 由具有包含在500nm-1000nm的尺寸的铜条带形成，但是用包含25g/l的明胶的 电解溶液E获得的金属泡沫，由具有尺寸仅为大约100nm的铜条带形成。

另外，电解溶液中明胶浓度的增加引起金属条带数增加和金属条带之间的 间隙尺寸减小。

最后，在x70000的高放大率下获得的图像显示用电解溶液B-D获得的泡沫 的金属条带包含小的结节，所述结节具有类似于用常规电解法获得的铜沉积物 的结构。尽管如此，重要的是要注意该类结节的存在随着电解溶液中明胶浓度 的增加而降低到在25g/l的浓度下完全消失(电解溶液E)。这一发现看起来也确 认了很可能由于越来越更具活力的电解等离子体，电解溶液中的明胶浓度越高， 阳离子Cu²⁺的电解还原反应越快越剧烈，所述反应在位于气态包封与电解溶液 之间的界面发生。

除了使用扫描电子显微镜表征之外，对通过实施电解溶液E用电解等离子 体电解法在25V的施加电压下进行10秒的时间得到的金属泡沫，使用能量分散 X射线谱(EDX)(标为ESM LMTPCMEB001)进行分析以便确定所述金属泡沫的 化学组成。

图16中报告的所得谱图显示，金属泡沫的主要元素是铜，其浓度为大约80％ 原子。仅有的其它两种同样存在的元素是氧和硫，它们来自电解溶液中存在的 其它化合物(CuSO₄、H₂SO₄和H₂O)，其浓度分别为大约15％原子和5％原子。

无论所考虑的电解溶液B-E中存在的明胶浓度如何，这一发现都是相同的。

施加电压对金属泡沫的结构的影响

如果参考图13，可以观察到：对于电解溶液E中25g/l的明胶浓度，作为 施加的电压U的函数的强度I的曲线表明从25V的施加电压可以使电解等离子 体稳定化(见图13)。

为了测定施加电压对金属泡沫的结构可能具有的影响，用电解等离子体电 解法在施加两个单独的电压下，一个25V和另一个30V，进行10秒钟由实施此 电解溶液E合成两种金属泡沫。

通过显微镜和通过扫描电子显微镜(SEM)获得的金属泡沫图像显示了施加 电压的变化对金属泡沫的结构具有影响。通过35V的施加电压获得的铜泡沫(图 17B)具有比通过25V的施加电压获得的铜泡沫(图17A)更不规则的结构，其特征 在于存在裂纹。另外，通过35V的施加电压获得的所述铜泡沫的金属条带比通 过25V的施加电压获得的铜泡沫的金属条带更厚。由此显然可见施加电压越高， 电解溶液中产生的微电弧越多。

金属泡沫的表观密度的评价

第一系列的金属泡沫MM1-MM3

进行目的在于测定质量(记为m且以μg表示)和表观体积(记为V且以cm³表示)的测量以便使得可以计算三种铜泡沫MM1、MM2和MM3的表观密度(记 为ρ且以g/cm³表示)，所述铜泡沫是按照根据本发明的合成方法由电解溶液E 相继合成的，所述方法在不搅拌电解溶液E和不旋转阴极的情况下在25V的施 加电压下进行15秒。

表观密度ρ由下式(8)计算：

$\rho =\frac{m}{V}---\left(8\right)$

这三种金属泡沫MM1、MM2和MM3的显微镜图像报告在附图18A-18C 中。

观察到这三种金属泡沫MM1、MM2和MM3的确具有相同的多孔微米结构。

对于所评价的这三种金属泡沫，所记录的质量m的值、表观体积V的值和 计算的表观密度ρ的值报告在下面表4中。

在表4中还显示了相对于铜的理论密度以百分比计算的表观密度ρ的值， 所述理论值在20℃下为8.92g/cm³。

然而应当指出的是如果通过实施根据本发明的方法获得的金属泡沫具有均 匀规则的结构，但是它们不是完美的球形，如在图18A-18C中的图像可以观察 到的那样。这样，表观体积V的测定和因此的表观内密度ρ受下面表4中提到 的不确定性所影响。

金属泡沫 MM1 MM2 MM3 电解溶液 E E E 图 18A 18B 18C m(以μg计) 862 1240 204 V(以Cm³计) 0.00362 0.00413 0.00045 ρ(以g/cm³计) 0.238+/-0.026 0.3+/-0.073 0.451+/-0.097 ρ(以％计) 2.66 3.35 5.06

表4

无论情况如何，如所计算的且报告在表4中的表观密度百分数值得到了通 过根据本发明的方法可以获得的金属泡沫的表观密度的数量级。

通过根据本发明的方法能够获得的和获得的金属泡沫的所述表观密度百分 数值最多为大约10％。

第二系列的金属泡沫MM4-MM7

进行目的在于测定质量(记为m且以μg表示)和表观体积(记为V且以cm³表示)的类似的测量以便使得可以计算四种铜泡沫MM4、MM5、MM6和MM7 的表观密度(记为ρ且以g/cm³表示)，所述铜泡沫是按照根据本发明的合成方法 由电解溶液E相继合成的，所述方法在25V的施加电压下进行15秒。

在此第二系列试验中，并且与前面不同，在整个合成中电解溶液E保持以 220rpm的角速度搅拌，而阴极保持以300rpm的角速度旋转。

图19的图像相应于金属泡沫MM5。

对于四种金属泡沫记录的质量m的值与表观体积V的值、如上面计算的以 g/cm³和以％表示的表观密度ρ的值报告在下面表5中。

金属泡沫 MM4 MM5 MM6 MM7 电解溶液 E E E E 图   19     m(以μg计) 870 560 890 760 V(以Cm³计) 0.0245 0.0253 0.0237 0.0189 ρ(以g/cm³计) 0.035 0.022 0.038 0.040 ρ(以％计) 0.39 0.25 0.43 0.45

表5

观察图19的图像，其相应于泡沫MM5，显示当在旋转阴极的条件下实施 根据本发明的合成方法时，获得的金属泡沫除了具有均匀规则的结构之外还具 有规则的形状。

另外，和以完全令人惊讶的方式，阴极旋转使得可以得到实际上10倍低于 得到和报告于表4中的那些的表观密度值。

虽然所述实际上低的表观密度值，但是金属泡沫MM5能够在其没有任何降 解的情况下容易地从阴极分离、以圆柱形式加工和使用微吸管处理，如图20的 图像中所示。

参考书目

[1]C.Zhou et al.,Electrochemistry Communications,2012,18,pages33-36

[2]K.Azumi et al.,Electrochimica Acta,2007,52,pages4463-4470

[3]R.Wüthrich et al.,Electrochimica Acta,2010,55,pages8189-8196

[4]T.A.Kareem et al.,Ionics,2012,18,pages315-327

[5]O.Takai,Pure Appl.Chem.,2008,80(9),pages2003-2011