奇数层基板的制造方法和奇数层基板

摘要

本发明公开了一种奇数层基板的制造方法和奇数层基板，其中，所述奇数层基板的制造方法包括在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔，对第一铜箔进行保护，对第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电极，在第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和第三铜箔，使得第一铜线路和铜电极嵌入第一半固化片和第二半固化片之间，对第一铜箔和第一半固化片以及第三铜箔和第二半固化片分别进行激光钻孔至铜电极形成盲孔，对盲孔除胶渣后，去除第一铜箔和第三铜箔，并在第一半固化片和第二半固化片上以及盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路。本发明实现了奇数层基板的无翘曲制作，避免了孔中空洞的现象，且有效减小了基板的厚度。

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种奇数层基板的制造方法和奇数 层基板。

背景技术

随着电路板朝向轻、薄、小及高密互连等趋势发展，为了在有限的表面上 装载更多的微型器件，三维封装应用而生，将芯片进行三维集成封装，即把芯 片进行堆叠，以提高单位面积上的封装密度。

现有技术中，一种方法是采用双面增层(Build-up)法来制作无芯基板，采 用该方法制作的无芯基板的导电通孔采用通孔电镀的方式进行填充，这种方法 的优点是能解决无芯基板的翘曲问题，缺点是在通孔电镀的过程中容易形成孔 中空洞，空洞中封入电镀时的电解液，在高温回流过程中，空洞中的气体膨胀 会导致孔洞破裂，电解液长期存在会导致孔洞被氧化蚀刻，形成开路，此外， 这种方法不能制作奇数层无芯基板。

另一种方法是在承载板的两侧涂上胶以后采用增层法加工制作，再分离形 成两个无芯基板的制作方法，这种方法的优点是能制作奇数层无芯基板，缺点 是每层树脂的加工条件相差非常大，结构严重不对称，从承载板上分离以后， 无芯基板的翘曲很大，从而影响后续的组装工作。

因此如何制作一种无翘曲的奇数层基板是一个重要问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种奇数层基板的制造方法和奇数层基板， 以解决无翘曲奇数层基板的制作问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种奇数层基板的制造方法，所述方法包 括：

S1、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔；

S2、对所述第一铜箔进行保护，对所述第二铜箔进行光刻形成第一铜线路 和铜电极；

S3、在所述第一铜线路和铜电极上依次高温压合并固化第二半固化片和第 三铜箔，压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所述第 二半固化片之间；

S4、对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固化片分 别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔；

S5、对所述盲孔进行除胶渣；

S6、在所述除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一 半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的 第二铜线路。

进一步地，所述去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化 片和第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜 线路包括：

将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一半固化片和 所述第二半固化片；

在所述露出的第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中进行化学镀 铜，形成化学镀铜层；

在所述化学镀铜层上光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将盲孔和需要 电镀的区域裸露出来；

电镀填充所述盲孔和需要电镀的区域，所述盲孔电镀填充后的电镀铜与位 于盲孔中的化学镀铜层和铜电极形成导电通孔，所述需要电镀的区域电镀填充 后和所述盲孔填充后的电镀铜形成第二铜线路；

电镀填充后去除掩蔽膜图形，露出部分化学镀铜层；

闪蚀所述去除掩蔽膜图形后露出的化学镀铜层部分，未被闪蚀的化学镀铜 层部分形成化学镀铜层结构。

进一步地，在步骤在所述除胶渣后，在所述第一半固化片和第二半固化片 上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路之后，所述方 法还包括：

S7、在基板两面的第二铜线路上分别高温压合并固化第三半固化片和第四 铜箔，其中，所述第四铜箔的厚度为2μm；

S8、重复步骤S4至步骤S7形成N层奇数层基板，其中，N为大于3的奇 数。

进一步地，所述第一铜箔和所述第三铜箔的厚度小于所述第二铜箔的厚 度。

进一步地，所述第一铜箔、第二铜箔和第三铜箔的厚度相同。

进一步地，在步骤对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第 二半固化片分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔之前，所述方法还包 括：

对所述第一铜箔和所述第三铜箔进行减铜处理，使得所述第一铜箔和所述 第三铜箔的厚度在5～6μm的范围内。

进一步地，在步骤将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所 述第一半固化片和所述第二半固化片之后，在步骤在所述露出的第一半固化 片、第二半固化片和盲孔上进行化学镀铜，形成化学镀铜层之前，所述方法还 包括：

对所述第一半固化片、第二半固化片和盲孔进行等离子活化处理。

第二方面，本发明实施例提供了一种奇数层基板，所述基板包括：

设置在第一半固化片和第二半固化片之间的第一铜线路和铜电极；

设置在第一半固化片表面和第二半固化片表面上的化学镀铜层结构；

设置在所述化学镀铜层结构上的第二铜线路；

贯穿所述第一半固化片和所述第二半固化片的导电通孔，其中，所述导电 通孔包括两个背对背的盲孔、衬于所述盲孔内壁上的化学镀铜层结构、铜电极 和填充在盲孔中并与所述化学镀铜层结构接触的第二铜线路。

进一步地，所述两个背对背的盲孔分别从所述第一半固化片和所述第二半 固化片延伸到所述铜电极。

进一步地，所述基板还包括：

设置于基板两面的第N半固化片，所述第N半固化片设置于所述第二铜线 路上，其中，N为大于3的整数。

进一步地，所述导电通孔贯穿所述第N半固化片、所述第一半固化片和所 述第二半固化片。

本发明实施例提供的奇数层基板的制造方法和奇数层基板，第一方面通过 将第一铜线路和铜电极嵌入两张半固化片之间，从而有效减小了基板的厚度； 第二方面基板相对于第一铜线路和铜电极来说对称分布，从而能够制作奇数层 基板，并且有效避免了基板翘曲的缺陷；第三方面，由于导电通孔通过两个背 对背的盲孔来形成，因此形成导电通孔的深宽比减少一半，从而可以实现无空 洞电镀。

附图说明

下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技 术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：

图1是本发明实施例一提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图；

图2是本发明实施例二提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图；

图3A-3J是本发明实施例二提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应 的结构剖面示意图；

图4是本发明实施例三提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图；

图5A-5B是本发明实施例三提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应 的结构剖面示意图；

图6是本发明实施例四提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图；

图7是本发明实施例五提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图；

图8是本发明实施例六提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此 处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需 要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内 容。

实施例一

图1是本发明实施例一提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图，该方 法包括步骤S101至步骤S106，需要说明的是，本实施例以步骤S101至步骤 S106来命名各步骤只是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步骤的先后顺 序，在本发明的不同实施例中，各步骤可根据工艺的调节来调整先后顺序。

步骤S101、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔。

步骤S102、对第一铜箔进行保护，对第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和 铜电极。

在本实施例中，所述第一铜线路和铜电极可以根据电路设计的需要进行互 连，在后续激光钻孔时，可以将盲孔钻到铜电极上。

步骤S103、在所述第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和 第三铜箔，压合后后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所 述第二半固化片之间。

在所述第一铜线路和铜电极上依次高温压合第二半固化片和第三铜箔，高 温压合过程中由于所述第一半固化片和第二半固化片仍处于半固化状态，因此 高温压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所述第二半 固化片之间，所述第一半固化片和第一铜箔与所述第二半固化片和第三铜箔关 于嵌入两片半固化片之间的第一铜线路和铜电极对称。

步骤S104、对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固 化片分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔。

在第一铜箔和第一半固化片上进行激光钻孔至所述铜电极形成盲孔，在第 三铜箔和第二半固化片上进行激光钻孔至与第一铜箔和第一半固化片中形成的 盲孔相同的铜电极上，形成两个背对背的盲孔。

步骤S105、对所述盲孔进行除胶渣。

激光钻孔后，在盲孔中会残留一些激光钻孔形成的树脂残渣，除胶渣后可 以将盲孔中残留的一些树脂残渣去掉。

步骤S106、在所述除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所 述第一半固化片和所述第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和 位于其上的第二铜线路。

在本实施例中，在基板上形成第二铜线路的方法包括半加成方法、改良的 半加成方法或者减成法。

所述半加成方法是在除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在 所述第一半固化片和所述第二半固化片以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和 位于所述化学镀铜层结构上的第二铜线路。

所述改良的半加成方法可以在步骤S104前，先对第三铜箔进行减铜，使得 第三铜箔的厚度为1-2μm，之后进行步骤S104，在第一铜箔和第一半固化片以 及减铜后的第三铜箔和第二半固化片上分别进行激光钻孔至铜电极形成盲孔， 在第一铜箔、减铜处理后的第三铜箔和盲孔上进行化学镀铜，形成化学镀铜 层，在所述化学镀铜层上进行光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将需要电 镀的区域和盲孔裸露出来，电镀填充所述盲孔和需要电镀的图形，电镀填充后 去除掩蔽膜图形，最后将整个基板放入闪蚀溶液中将去除掩蔽膜图形后露出的 部分化学镀铜层和铜箔蚀刻掉，便形成了第二铜线路，采用改良的半加成法制 造电镀铜线路的优点在于第二铜线路的结合力良好，缺点在于闪蚀过程中对第 二铜线路中的电镀铜的蚀刻量较大。

所述减成法是指在步骤S105后，在第一铜箔和第三铜箔以及盲孔上进行化 学镀铜，形成化学镀铜层，之后在化学镀铜层上进行电镀填充，在电镀填充后 的电镀铜层上光刻形成掩蔽膜，去除掩蔽膜以后，将基板放入铜蚀刻溶液中将 去除掩蔽膜后露出的化学镀铜层和铜箔蚀刻掉，从而形成第二铜线路。

本发明第一实施例提供的奇数层基板的制造方法，第一方面通过将第一铜 线路和铜电极嵌入两张半固化片之间，从而有效减小了基板的厚度，第二方面 基板相对于第一铜线路和铜电极来说对称分布，从而能够制作奇数层基板，并 且有效避免了基板翘曲的缺陷，第三方面，通过在铜电极两侧的铜箔和半固化 片进行激光钻孔至所述铜电极形成两个背对背的盲孔，实现无空洞电镀。

实施例二

图2是本发明实施例二提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图，图 3A-3J是本发明实施例二提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应的结构 剖面示意图，本实施例以上述实施例为基础，在制造第二铜线路时采用半加成 的方法。该方法包括步骤S201至步骤S211，需要说明的是，本实施例以步骤 S201至步骤S211来命名各步骤只是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步 骤的先后顺序，在本发明的不同实施例中，各步骤可根据工艺的调节来调整先 后顺序。下面将结合图3A至图3J对S201至S211各步骤作相应的说明。

参见图2，所述奇数层基板的制造方法包括：

步骤S201、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔。

参见图3A，可以在真空压膜机中将第一铜箔12和第二铜箔13分别低温压 合在第一半固化片11的两侧。

在本实施例中，所述第一铜箔12的厚度小于第二铜箔13的厚度，所述第 一铜箔12的厚度优选为2-3μm，所述第二铜箔的厚度优选为9-35μm。

步骤S202、对第一铜箔进行保护，对第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和 铜电极。

参见图3B，将第一铜箔12进行保护，对第二铜箔13按照电路设计需要进 行光刻，形成第一铜线路131和铜电极132，第一铜线路131和铜电极132可以 根据电路设计的需要进行互连。

步骤S203、在所述第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和 第三铜箔，压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所述 第二半固化片之间。

参见图3C，在本实施例中，第三铜箔15的厚度与第一铜箔12的厚度相同 均小于第二铜箔13的厚度，这样处理的好处在于，由于在后续步骤将所述第一 铜箔和所述第三铜箔通过刻蚀去除的过程中，会蚀刻掉一部分盲孔底部的铜电 极132，因此，为了减少对铜电极132的蚀刻量，所述第二铜箔13的厚度需要 大于第一铜箔12和第三铜箔15的厚度。

在本实施例中，第三铜箔15与第二半固化片14压合的表面是经过粗化处 理具有低粗糙度的表面，经过高温压合后，将第三铜箔15与第二半固化片14 压合的表面的低粗糙度转印到第二半固化片14的表面，使得压合后的第二半固 化片14具有与第三铜箔15的低粗糙度表面相同的粗糙度，从而提高第二半固 化片14与第一铜线路131和铜电极132的结合力。

步骤S204、对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固 化片分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔。

参见图3D，在第一铜箔12和第一半固化片11上以及第三铜箔15和第二 半固化片14上分别进行激光钻孔至所述铜电极132，在铜电极132的两侧形成 两个背对背的盲孔16。

步骤S205、对所述盲孔进行除胶渣。

激光钻孔后，在盲孔16中会残留一些树脂残渣，通过除胶渣的方法将盲孔 16中残留的树脂残渣去掉，以提高后续化学镀铜步骤中盲孔与化学镀铜层的结 合力并且能改善盲孔中铜电极132与化学镀铜层互连的导通性。所述除胶渣的 方法包括但不限制于：化学蚀刻法和等离子清洗法。

步骤S206、将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一 半固化片和所述第二半固化片。

参见图3E，将第一铜线路131和金属电极132两侧的第一铜箔12和第三铜 箔15通过蚀刻去掉，露出第一半固化片11和第二半固化片14。

在本步骤中，在蚀刻第一铜箔12和第三铜箔15的过程中，盲孔16中的金 属电极132会被少量蚀刻掉，由于盲孔16的较小，蚀刻溶液的在盲孔16中的 交换能力较差，盲孔16内的金属电极132会被少量蚀刻，蚀刻量的多少与第一 铜箔12和第三铜箔15的厚度有关，可以采用比较薄的铜箔，从而减少第一铜 箔12和第三铜箔15的蚀刻时间，盲孔16中金属电极132的微量蚀刻有利于提 高后续步骤中金属电极132与盲孔中化学镀铜层结合力。

步骤S207、在去除所述第一铜箔和所述第三铜箔后露出的第一半固化片和 第二半固化片上以及所述盲孔中进行化学镀铜，形成化学镀铜层。

参见图3F，在步骤S206将第一铜箔12和第三铜箔15被蚀刻掉以后，露出 了第一半固化片11和第二半固化片14，在露出的第一半固化片11和第二半固 化片14上以及盲孔16中进行化学镀铜，形成化学镀铜层17，化学镀铜层17的 厚度一般只有1微米左右，化学镀铜的速率慢，用来做后续步骤S209电镀填充 的种子层形成一个导电的平面，即形成一个均匀的电场，又将需要电镀填充的 区域连接起来。

步骤S208、在所述化学镀铜层上光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将 盲孔和需要电镀的区域裸露出来。

参见图3G，将干膜压合到所述化学镀铜层17上后，再经过光刻方法形成 掩蔽膜图形18，所述掩蔽膜图形18将盲孔16和需要电镀的区域裸露出来。

步骤S209、电镀填充所述盲孔和需要电镀的区域，所述盲孔电镀填充后的 电镀铜与位于盲孔中的化学镀铜层和铜电极形成导电通孔，所述需要电镀的区 域电镀填充后和所述盲孔填充后的电镀铜形成第二铜线路。

参见图3H，经过步骤S208后，将基板放入电镀槽中，在盲孔16和裸露的 化学镀铜层17中电镀上电镀铜，所述盲孔电镀填充后的电镀铜和所述需要电镀 的图像电镀填充后形成第二铜线路19，将盲孔16中和裸露的化学镀铜层17上 第二铜线路19的厚度电镀到电路设计需要的厚度。

所述盲孔电镀填充后的电镀铜与位于盲孔16中的化学镀铜层17和铜电极 132形成导电通孔a，所述导电通孔a贯穿第一半固化片11和第二半固化片14。

步骤S210、电镀填充后去除掩蔽膜图形，露出部分化学镀铜层。

参见图3I，经过步骤S209后，用剥膜液将掩蔽膜图形18去掉，露出与掩 蔽膜图形18接触且位于掩蔽膜图形18下的部分化学镀铜层17。

步骤S211、闪蚀所述去除掩蔽膜图形后露出的化学镀铜层部分，未被闪蚀 的化学镀铜层部分形成化学镀铜层结构。

参见图3J，用快速闪蚀法，将整个基板放在闪蚀溶液中，由于化学镀铜层 17薄而且被蚀刻的速度快，所以将露出的化学镀铜层17部分迅速蚀刻掉，未被 闪蚀的化学镀铜层部分形成化学镀铜层结构，在此过程中，所述第二铜线路19 也会被部分蚀刻掉，由于第二铜线路19比化学镀铜层17的结构更加致密，晶 粒更粗大，因此，闪蚀溶液对化学镀铜层17的蚀刻速率大于对第二铜线路19 的蚀刻速率，且第二铜线路19的厚度远大于化学镀铜层17的厚度，所以当露 出的化学镀铜层17被蚀刻完以后，第二铜线路19只被蚀刻掉很少一部分，位 于第二铜线路19与第一半固化片11或第二半固化片14之间的部分化学镀铜层 17由于第二铜线路19的保护而被保留下来，形成化学镀铜层结构。

本实施例提供的奇数层基板的制造方法，通过将铜电极和第一铜线路嵌入 两张半固化片之间，有效减小了基板的厚度，通过在半固化片上形成两个背对 背的盲孔，降低了电镀难度，且不容易出现空洞现象，通过在第一铜线路和铜 电极两侧对称形成半固化片和金属线路，实现了奇数层基板的无翘曲制作。

在本实施例的一个优选实施例中，在步骤S206之后，在步骤207之前，所 述奇数层基板的制造方法还包括：

步骤S206a，对所述第一半固化片、第二半固化片和盲孔进行等离子活化 处理。

对第一铜箔12和第三铜箔15通过蚀刻去掉，露出第一半固化片11和第二 半固化片14之后，对第一半固化片11、第二半固化片14和盲孔16进行等离子 活化处理的好处在于，能够清洁第一半固化片11和第二半固化片14的表面， 去除铜箔与半固化片表面的铜箔防氧化剥膜，此外，对第一半固化片11、第二 半固化片14和盲孔16进行等离子活化处理能够提高第一半固化片11、第二半 固化片14和盲孔16的表面对于化学镀铜层的结合力。

本发明第二实施例提供的奇数层基板的制造方法，第一方面通过将第一铜 线路和铜电极嵌入两张半固化片之间，从而有效减小了基板的厚度，第二方面 基板相对于第一铜线路和铜电极来说对称分布，从而能够制作奇数层基板，并 且有效避免了基板翘曲的缺陷，第三方面，通过在铜电极两侧的铜箔和半固化 片进行激光钻孔至所述铜电极形成两个背对背的盲孔，实现无空洞电镀。

实施例三

图4是本发明实施例三提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图，图 5A-5B是本发明实施例三提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应的结构 剖面示意图，本实施例以实施例二为基础，与实施例二的差别在于，第二实施 例制造的三层基板，在本实施例中，可以制造多层奇数层基板，具体地，该奇 数层基板的制造方法还包括：

步骤S312、在所述基板两面的电镀铜线路上分别高温压合并固化第三半固 化片和第四铜箔，其中，所述第四铜箔的厚度为2μm。

参见图5A，在第一实施例制造的三层基板的基础上，在所述三层基板的两 面的第二铜线路上分别高温压合第三半固化片210和第四铜箔211。

重复步骤S304至步骤S312形成多层奇数层基板。

参见图5B，在三层基板上双面高温压合并固化第三半固化片和第四铜箔 后，重复步骤S304至步骤S311形成五层基板。

重复步骤S312，在五层基板上双面高温压合并固化半固化片和铜箔后，重 复步骤S304至步骤S311形成七层基板。

依次类推，重复步骤S304至步骤S312可以形成多层奇数层基板。在本实 施例中，所述多层奇数层基板的电镀铜线路的制造方法可以包括半加成法、改 良的半加成法或减成法。

需要说明的是，在重复步骤S304至步骤S312时，所述激光钻盲孔以及在 半固化片上形成化学镀铜层结构和第二铜线路的过程都是在最新增加的半固化 片和铜箔上进行操作的。

本发明第三实施例提供的奇数层基板的制造方法，通过在三层基板的基础 上采用双面增层法来制作多层奇数层基板，且第一铜线路和铜电极以及电镀铜 线路均嵌入与它们接触的相邻的两张半固化片之间，有效减小了基板的厚度， 且所述多层奇数层基板相对于的两侧相对于多层奇数层基板内部的铜线路和铜 电极对称分布，有效解决了基板翘曲。

实施例四

图6是本发明实施例四提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图，具体 地，该奇数层基板的制造方法包括：

S401、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔。

S402、对第一铜箔进行保护，对第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电 极。

S403、在所述第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和第三 铜箔，压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所述第二 半固化片之间。

S404、对所述第一铜箔和所述第三铜箔进行减铜处理，使得所述第一铜箔 和所述第三铜箔的厚度在5～6μm的范围内。

S405、在所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固化片 上分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔。

S406、对所述盲孔进行除胶渣。

S407、将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一半固 化片和所述第二半固化片。

S408、在所述露出的第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中进行 化学镀铜，形成化学镀铜层。

S409、在所述化学镀铜层上光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将盲孔 和需要电镀的区域裸露出来。

S410、电镀填充所述盲孔和需要电镀的区域，所述盲孔电镀填充后的电镀 铜与位于盲孔中的化学镀铜层和铜电极形成导电通孔，所述需要电镀的区域电 镀填充后和所述盲孔电镀填充后的电镀铜形成第二铜线路。

S411、电镀填充后去除掩蔽膜图形，露出部分化学镀铜层。

S412、闪蚀所述去除掩蔽膜图形后露出的化学镀铜层部分，未被闪蚀的化 学镀铜层部分形成化学镀铜层结构。

在本实施例中，步骤S401至步骤S403以及步骤S405至步骤412分别与本 发明第二实施例中的步骤S201至步骤S203以及步骤S204至步骤S211相同， 在此不再赘述。

与本发明第二实施例不同的是，在本实施例中，所述第一铜箔、第二铜箔 和第三铜箔的厚度相同，因此，增加了步骤S404，对所述第一铜箔和所述第三 铜箔进行减铜处理，使得所述第一铜箔和所述第三铜箔的厚度在5～6μm的范 围内，这样处理的好处在于，由于在步骤S407中将所述第一铜箔和所述第三铜 箔通过蚀刻去除的过程中，盲孔中的铜电极会被蚀刻溶液少量蚀刻掉，因此为 了减少盲孔中铜电极的蚀刻量，需要对所述第一铜箔和第三铜箔进行减铜处 理，使得所述第一铜箔和所述第三铜箔的厚度在5～6μm的范围内。

本实施例提供的奇数层基板的制造方法能够制造出三层无翘曲基板，且与 现有技术相比，本实施例制造的三层基板降低了基板的厚度，不会出现电镀空 洞的现象。

在本实施例的一个优选实施例中，所述奇数层基板的制造方法还包括：

步骤S413、在所述基板两面的电镀铜线路上分别高温压合并固化第三半固 化片和第四铜箔，其中，所述第四铜箔的厚度为2μm。

重复步骤S404至步骤S412形成多层奇数层基板。

本发明第四实施例提供的奇数层基板的制造方法，有效减小了基板的厚 度，实现了无空洞电镀，且能够制造多层奇数层无翘曲基板。

实施例五

图7是本发明实施例五提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图，所述奇 数层基板是采用本发明第二实施例提供的奇数层基板的制造方法制造得到的， 参见图7，所述奇数层基板包括：

设置在第一半固化片31和第二半固化片34之间的第一铜线路331和铜电 极332；

设置在所述第一半固化片31表面和第二半固化片34表面上的化学镀铜层 结构37；

设置在所述化学镀铜层结构37上的第二铜线路39；

贯穿所述第一半固化片31和所述第二半固化片34的导电通孔a，其中，所 述导电通孔a包括两个背对背的盲孔36、衬于所述盲孔36内壁上的化学镀铜层 结构37、铜电极332和填充在盲孔36中并与所述化学镀铜层结构37接触的第 二铜线路39。

在本实施例中，所述第一铜线路331和铜电极332可以根据电路设计的需 要进行连通，第一铜线路331和铜电极332可以通过铜箔进行光刻后形成。通 过在第一铜线路331和铜电极332上高温压合第二半固化片34，可以使得所述 第一铜线路331和铜电极332嵌入在所述第一半固化片31和第二半固化片34 之间。

所述两个背对背的盲孔36中其中一个盲孔36从第一半固化片31延伸到所 述铜电极332，另一个盲孔36从所述第二半固化片34延伸到与所述其中一个盲 孔36共同的铜电极332。所述导电通孔a为第一半固化片31和第二半固化片 34之间的线路提供导电通道。

本发明第五实施例提供的奇数层基板，通过将第一铜线路和铜电极嵌入在 两张半固化片之间，从而有效减小了基板的厚度，另外，基板相对于第一铜线 路和铜电极对称分布，从而能够获得奇数层无翘曲基板。

实施例六

图8是本发明实施例六提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图，所述奇 数层基板是采用本发明实施例三提供的奇数层基板的制造方法制造得到的，该 实施例以上述第五实施例为基础，与第五实施例不同的是，第五实施例中的基 板层数是三层，本实施例中的基板层数是N层，其中N为大于3的奇数，参见 图8，所述奇数层基板包括：

设置在第一半固化片41和第二半固化片44之间的第一铜线路431和铜电 极432；

设置在所述第一半固化片41表面和第二半固化片44表面上的化学镀铜层 结构47；

设置在所述化学镀铜层结构47上的第二铜线路49形成三层基板；

设置于所述三层基板两面的第N半固化片410，所述第N半固化片410设 置在所述第二铜线路49上；

贯穿所述第N半固化片410、所述第一半固化片41和所述第二半固化片44 的导电通孔a，所述导电通孔a包括两个背对背的盲孔46、衬于所述盲孔46内 壁上的化学镀铜层结构47、铜电极432和填充在盲孔46中并与所述化学镀铜层 结构47接触的第二铜线路49。

在本实施例中，所述N为大于3的整数，在第四实施例形成的三层基板的 基础上，在三层基板的两面分别压合叠加半固化片，采用制造三层基板相同的 方法，形成多层奇数层基板。

本发明第六实施例提供的奇数层基板，在三层基板的基础上，通过采用与 制造三层基板相同的方法形成多层奇数层基板，所述多层奇数层基板相对于第 一铜线路和铜电极对称分布，不会出现基板翘曲的现象，且有效减小了基板的 厚度。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技 术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所 作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。