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采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管

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摘要

一种采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管，由氧化铟锡（ITO）玻璃衬底兼栅电极、有机聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）栅绝缘层、有机半导体并五苯（Pentacene）钝化层、n型有机半导体C

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-02-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L51/05 申请公布日:20130703 申请日:20130320

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-07-31

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20130320

实质审查的生效
2013-07-03

公开

公开

1. 采用并五苯作为栅绝缘层钝化的C60有机场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN103187529A . 2013-07-03
2. 一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管 [P] . 中国专利： CN205911314U . 2017.01.25
3. Gate insulating layer having diamond-like carbon and thin film transistor employing the same and process for manufacturing gate insulating layer [P] . 英国专利： GB2319660B . 2001-10-24

机译：具有类金刚石碳的栅绝缘层和采用该栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法
4. Gate insulating layer having diamond-like carbon and thin film transistor employing the same and process for manufacturing gate insulating layer [P] . 英国专利： GB9724618D0 . 1998-01-21

机译：具有类金刚石碳的栅绝缘层和采用该栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法
5. Organic field effect transistor used in the production of integrated circuits comprises a gate electrode, an insulating layer and a semiconductor layer arranged on a substrate [P] . 德国专利： DE10126860A1 . 2002-12-12

机译：用于集成电路生产的有机场效应晶体管包括布置在基板上的栅电极，绝缘层和半导体层