公开/公告号CN110544649A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 政汉电子科技有限公司;
申请/专利号CN201910241184.3
发明设计人 蔡汉平;
申请日2019-03-28
分类号
代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);
代理人翟羽
地址 中国台湾新竹市北区南寮里4邻中清一路22之7号1楼
入库时间 2024-02-19 15:39:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20190328
实质审查的生效
2019-12-06
公开
公开
机译: 形成用于湿法蚀刻的掩膜,用于湿法蚀刻的掩膜,静电致动器,液滴排放头和半导体装置的膜的方法,所述基质通过使用用于湿法蚀刻的掩膜形成的基质,并且将装置和电子设备成像
机译: 半导体晶圆湿法清洗和湿法蚀刻设备
机译: 湿法蚀刻和湿法清洗