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含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物和利用该组合物的膜沉积方法

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本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

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公开/公告号CN109476685A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-15

原文格式PDF
申请/专利权人 UP化学株式会社;
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申请/专利号CN201780001545.6
发明设计人韩元锡;高元勇;朴明镐;
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申请日2017-08-08
分类号C07F7/28(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/18(20060101);
代理机构11410 北京市中伦律师事务所;
代理人杨黎峰;钟锦舜
地址韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 08:16:02

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2019-03-15

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1. 含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物和利用该组合物的膜沉积方法 [P] . 中国专利： CN109476685A . 2019-03-15
2. 含第Ⅳ族金属元素的化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物和利用该组合物的膜沉积方法 [P] . 中国专利： CN107614507A . 2018-01-19
3. Group 4 metal element-containing alkoxy compound, preparing method thereof, precursor composition including the same for film deposition, and method of depositing film using the same [P] . 美国专利： US10131680B1 . 2018-11-20

机译：含第4族金属元素的烷氧基化合物，其制备方法，包括其的前体组合物用于膜沉积，以及使用该前体组合物沉积膜的方法
4. Group 4 metal element-containing alkoxy compound, production method thereof, precursor composition for film deposition including the same, and film deposition method using the same [P] . 日本专利： JP2019523749A . 2019-08-29

机译：含第4族金属元素的烷氧基化合物，其制备方法，包括其的膜沉积用前体组合物以及使用其的膜沉积方法
5. Group 4 metal element-containing compound, manufacturing method thereof, precursor composition for film deposition containing the same, and vapor deposition method of a film using the same [P] . 日本专利： JP6421258B2 . 2018-11-07

机译：含第4族金属元素的化合物，其制造方法，包含该化合物的膜沉积前体组合物以及使用该化合物的膜的气相沉积方法