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公开/公告号CN109266262A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 四川大学;
申请/专利号CN201810840158.8
发明设计人 郭少云;张先龙;张旋;
申请日2018-07-27
分类号C09J147/00(20060101);C09J153/02(20060101);C09J11/04(20060101);C09J11/08(20060101);
代理机构
代理人
地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
入库时间 2024-02-19 06:50:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C09J147/00 申请日:20180727
实质审查的生效
2019-01-25
公开
机译: 具有高介电常数和低介电损耗因子,可固化膜,固化产物的复合材料组合物及其制备方法
机译: 一种相互绝缘的零件的制备和一种低厚度的高渗透性铁-镍-合金复合磁性目的二烯端体的制备方法。
机译: 一种低导热率复合指甲的制备方法。
机译:NH2官能化碳涂覆的Fe3O4核 - 壳纳米颗粒用于制备具有高介电常数,低介电损耗和高击穿强度的鲁棒聚酰亚胺复合膜的鲁棒聚酰亚胺复合膜
机译:具有高介电常数,低介电损耗和高电导率的环氧官能化MWCNTs增强PVDF纳米复合材料的制备
机译:电纺原位成膜技术制备高介电常数低介电损耗的聚合物/碳纳米管复合材料
机译:具有高介电常数和低介电损耗特性的聚合物纳米复合材料。
机译:基于聚多巴胺涂层云母的高击穿强度和低介电损耗的硅橡胶复合材料
机译:具有低介电损耗和高介电常数的选择性官能化 - 石墨烯增强铜酞菁纳米复合材料的制备
机译:低介电损耗切线用陶瓷基复合材料的纤维涂层离子辅助沉积