机译:硅n-MOSFET蒙特卡罗模拟的表面散射半经验模型
机译:蒙特卡洛研究具有超薄高k电介质的纳米级Ge PMOSFET中的远程库仑和远程表面粗糙度散射
机译:使用改进的漂移扩散和流体动力学模型模拟纳米级MOSFET,并与Monte Carlo结果进行比较
机译:蒙特卡罗与超薄高Κ电孔纳米级GE PMOSFET中远程库仑和远程表面粗糙度散射的研究
机译:使用第一原理库仑散射迁移率建模和器件仿真来表征4H碳化硅MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:纳米级n-MOSFET的蒙特卡罗模拟和测量
机译:扩展边界条件法在二维随机粗糙面波散射蒙特卡罗模拟中的应用