机译:可变温度静电力显微镜研究氮化硅/氧化硅界面处的电荷俘获特性
机译:二氧化硅-硅界面陷阱电荷对单片金属-氧化锌-氮化硅-二氧化硅-硅卷积器性能的影响
机译:对可靠的四位/单元操作的氧化硅-氮化物-氧化硅-硅器件漏极区附近的局部陷获电荷和界面态分布的直接观察
机译:静电力显微镜测量下氢化纳米晶硅中的微观结构和局部电荷分布
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:三种常用固定化方法细菌与氮化硅基质之间原子力显微镜相互作用力的比较
机译:UV总剂量非挥发性传感器使用氧化硅 - 氮化物 - 氧化硅电容器,其具有氧 - 氮化物作为电荷捕获层
机译:界面涂层和氮化物增强添加剂对Hi-Nicalon siC纤维增强反应烧结氮化硅复合材料性能的影响