机译:确定双极技术中集成的SiGe HBT中的带隙变窄和寄生能垒
机译:表征SiGe中碳掺入对消除SiGe HBT中的寄生能垒的有效性
机译:SiGe HBT中的寄生能垒
机译:SiGe和SiGeC异质结双极晶体管中带隙变窄和寄生能垒的电学测定
机译:重掺杂N型硅中的少数族裔载运子(发射极,磷表皮,双极晶体管,能隙窄带,太阳能电池)。
机译:超声波双极和集成能量装置在肾上腺手术中的影响:文献综述和我们的经验
机译:表征siGe中碳掺入的有效性,以消除siGe HBT中的寄生能垒
机译:siGe HBT中寄生导带屏障形成的器件物理分析