机译:双栅极肖特基势垒源极/漏极MOSFET的电势和阈值电压模型
机译:具有二硅化物源极/漏极触点的肖特基势垒MOSFET的多尺度建模:触点在载流子注入中的作用
机译:物理紧凑的直流漏极电流模型,用于具有独立栅极操作的长沟道非掺杂超薄体(UTB)SOI和不对称双栅极(DG)MOSFET
机译:具有肖特基势垒源极/漏极的非掺杂对称双栅MOSFET的紧凑模型
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应