机译:从制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压偏移得出的<100>纳米线中的量子限制效应引起的带隙偏移
机译:从制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压偏移得出的(100)硅纳米线中的量子限制效应引起的带隙偏移
机译:Si纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中一维量子限制的迁移率振荡
机译:硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管和单电子晶体管中的量子约束效应的实验研究
机译:亚微米交错有机薄膜晶体管的阈值电压漂移分析模型
机译:NMR中化学位移的理论计算:应用于氙-氟化物。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:Si纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中一维量子限制的迁移率振荡
机译:H2O线宽和压力变换的理论计算:anderson理论与量子多体理论对N2和空气扩张线的比较。