机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:使用双光子准晶体图案改善GaN基发光二极管的光输出功率
机译:使用光子准晶体过度生长增强n-GaN层上基于GaN的发光二极管的光输出功率
机译:纳米压印光刻技术增强的具有12倍光子准晶体的GaN基垂直注入发光二极管的光输出功率
机译:H
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:利用双光子准晶体模式提高GaN基发光二极管的光输出功率