机译:通过一种新颖的形成技术制造的高性能Ge超浅结,该技术采用旋涂掺杂剂和激光退火技术,适用于10 nm以下的技术应用
机译:纳米技术CMOS应用等离子掺杂和准分子激光退火的超浅结形成
机译:与传统的尖峰退火溶液共注入以形成45 nm n型金属氧化物半导体超浅结
机译:通过非熔融工艺形成超浅结;双脉冲绿色激光退火
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:金属粉尘化金属氧化物半导体结构中激光和电脉冲触发的横向光电压的非易失性和可调性切换
机译:激光退火超浅结的尺寸依赖四点探针薄层电阻测量的对比研究
机译:脉冲激光退火锗中受激表面极化波散射和光栅形成的时间分辨测量