机译:Si符合GaN克服了Si上厚GaN异质外延的热失配
机译:大面积工程衬底上厚GaN外延层和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电热评估
机译:使用碱性氨的氨热法在自由站立的GaN晶种上生长的厚GaN膜的结构表征
机译:在块状GaN衬底上通过具有厚GaN缓冲层的GaN栅极注入晶体管实现高速开关和无电流崩塌操作
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:勘误表:“使用有机金属化学气相沉积GaN模板消除厚GaN膜中的不均匀性” J.应用物理90,6011(2001)
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。