机译:IC-VI半导体材料,碲化镉(CdTe)和硒化镉(CDSE)浸出离子物质的微生物毒性
机译:从II-VI半导体材料,碲化镉(CdTe)和硒化镉(CdSe)浸出的离子物质的微生物毒性
机译:碲化镉(CdTe)和硒化镉(CdSe)对pH和O_2的浸出行为和表面化学
机译:II-VI半导体的固态重结晶:在碲化镉,硒化镉和硒化锌中的应用
机译:化学浴和脉冲DC溅射沉积的亚硒酰胺薄膜用于碲化镉装置中的比较
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:从II–VI半导体材料碲化镉(CdTe)和硒化镉(CdSe)中浸出的离子物质的微生物毒性
机译:半导体材料GaAs,CdTe和CdSe的环境命运,回收率和微生物毒性
机译:窄间隙半导体中缺陷的电子表征 - 汞碲化镉,汞碲化锌和汞硒化锌中电子能级与形成能的比较