机译:通过低温自由基诱导氧化高质量的高质量超大性结构CMOS应用的高质量超薄栅极氧化物
机译:基于氧化镧/氧化硅的栅极堆叠性能增强由于CMOS应用的超氧氮化物界面引起的增强
机译:利用远程紫外臭氧源的低温高质量高质量自由基辅助氧化工艺,用于高性能SiGe / Si MOSFET
机译:通过使用远程紫外线臭氧源的自由基辅助氧化,提高了超薄(1.4-2.3 nm)栅极氧化物的质量和可靠性
机译:界面质量和电气性能低温金属有机化学气相沉积铝氧化物薄膜,用于高级CMOS栅极电介质应用
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:在高温下形成的SiGe上生长的薄热氧化物的厚度取决于栅极氧化物的质量
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。