机译:堆叠电介质接口在粘结约束引起的过渡区域的装置性能和可靠性的内在限制
机译:氮化物/氧化物堆叠栅电介质中的缓冲氧化物层对器件性能和电介质可靠性的影响
机译:基于锗/ hf氧化物的介电界面的界面过渡区:非晶Hf氧氮化硅与纳米晶Hfo_2栅堆叠之间的质量差异
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:先进硅器件的高k栅极电介质性能和可靠性的内在限制
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:高κ/真空栅极电介质掺杂和接线装置的比较性能及可靠性分析