机译:用于硅基肖特基势垒二极管的印刷银电极:AG / P-Si接口使能的高整流比率超过理论屏障高度
机译:Ag / p-Si(100)肖特基势垒二极管中非均匀势垒高度的高斯分布
机译:温度范围为120-320 K的Al / PS-ZnPc / p-Si型肖特基势垒二极管的势垒高度单高斯分布
机译:势垒高度和理想因子对相同生产的小型Au / p-Si肖特基势垒二极管的依赖性
机译:Pd_2Si / p-Si(100)二极管通过掺杂隔离过程对肖特基势垒高度的调制
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:Al辐射对Al / DNA / p-Si肖特基势垒二极管电子参数的计算
机译:错误:“表面处理对甘肖孔屏障二极管屏障高度的金属 - 工作函数依赖性的影响”AIP adv。 8,115011(2018)