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【2h】

Imaging Extended Defects in Low Z materials using Electron Channelling Contrast Imaging – New Approaches and Challenges

机译：使用电子通道对比度成像 - 新方法和挑战成像在低Z材料中的成像延伸缺陷 - 新方法和挑战

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作者
G. Naresh-Kumar; A. Alasamari; Ben Hourahine; C. Trager-Cowan;
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年度 2019
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1. Case studies on the application of high-resolution electron channelling contrast imaging - investigation of defects and defect arrangements in metallic materials [J] . Weidner Anja, Biermann Horst Philosophical magazine: structure and properties of condensed matter . 2015,第7a9期

机译：高分辨率电子通道对比成像应用案例研究-金属材料中的缺陷和缺陷排列研究
2. Epitaxial SiC Growth Morphology and Extended Defects Investigated by Electron Backscatter Diffraction and Electron Channeling Contrast Imaging [J] . YOOSUF N. PICARD, MARK E. TWIGG, JOSHUA D. CALDWELL, Journal of Electronic Materials . 2008,第5期

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3. Epitaxial SiC Growth Morphology and Extended Defects Investigated by Electron Backscatter Diffraction and Electron Channeling Contrast Imaging [J] . Yoosuf N. Picard, Mark E. Twigg, Joshua D. Caldwell, Journal of Electronic Materials . 2008,第5期

机译：外延SiC的生长形态和电子背散射衍射和电子通道对比成像研究的扩展缺陷。
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6. Modeling Dislocation Contrasts Obtained by Accurate-Electron Channeling Contrast Imaging for Characterizing Deformation Mechanisms in Bulk Materials [O] . Hana KRIAA, Antoine GUITTON, Nabila MALOUFI 2019

机译：建模通过精确电子通道对比成像获得的位错对比以表征散装材料中的变形机制
7. Modeling Dislocation Contrasts Obtained by Accurate-Electron Channeling Contrast Imaging for Characterizing Deformation Mechanisms in Bulk Materials [O] . Hana Kriaa, Antoine Guitton, Nabila Maloufi 2019

机译：通过精确 - 电子通道对比度成像获得的建模脱位对比度，用于表征散装材料变形机制

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