机译:使用Nb离子注入在HfO_2中形成的深陷阱形成的非易失性存储器
机译:使用金属离子注入在Al_2O_3中形成的深陷阱形成的非易失性存储器
机译:掺Nb的
机译:SiGe通道上的HfO2陷阱层非易失性闪存
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:高性能非易失性存储应用中HfO2膜的缺陷状态和电荷俘获特性